时间：2025/6/14 14:15:36
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V0R3A0201HQC500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制程技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效能和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：0.85mΩ
栅极电荷：79nC
开关时间：典型值 12ns（开启），27ns（关闭）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，适合开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 紧凑的封装设计，节省 PCB 空间，便于高密度设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 电动车和混合动力车中的电池管理系统。
5. 充电器和适配器中的功率转换模块。
V0R3A0201HQD500NAT
V0R3A0201HQB500NAT
