型号：CY7C2263KV18-550BZXI
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：QDR II+
　　存储类型：SRAM
　　存储容量：18 Mbit
　　组织结构：512K × 36
　　接口类型：并行，QDR
　　供电电压：1.8V ±5%
　　工作频率：最高 550 MHz
　　访问时间：约 1.8 ns
　　数据速率：1100 Mbps（DDR）
　　引脚数：165
　　封装类型：BGA（15×15 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟输入：差分（K/K#）
　　数据输入/输出：LVDS 或 HSUL
　　刷新机制：无需刷新
　　存取模式：突发模式，字节写使能
　　每字宽度：36 bits
　　地址位数：18 bits

CY7C2263KV18-550BZXI 具备多项先进特性，使其在高速存储应用中表现出色。首先，其 QDR II+ 架构支持四倍数据速率操作，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输两次数据，从而实现高达 1100 Mbps 的有效数据速率，显著提升了系统整体带宽。这种架构特别适合于对延迟敏感且要求持续高吞吐量的数据路径，例如在多端口交换架构中的缓冲管理或实时流媒体处理。
　　其次，该器件采用差分时钟输入（K/K#）和差分数据选通（CQ/CQ#），有效提高了抗噪声能力和信号完整性，尤其是在高频运行条件下。配合 LVDS（低压差分信号）或 HSUL（高摆幅通用逻辑）电平标准，可以在长距离走线或高密度布板环境中保持稳定的信号质量，降低误码率。此外，片上终端电阻（On-Die Termination, ODT）功能减少了外部匹配电阻的需求，简化了电路设计并节省了PCB面积。
　　再者，CY7C2263KV18-550BZXI 支持独立的读写端口操作，允许在同一时钟周期内执行读和写命令，极大增强了并发处理能力。这对于需要频繁进行数据交换和缓存更新的应用至关重要，比如在网络处理器与FPGA之间作为共享内存使用。其突发长度可配置，支持突发递增和突发交错模式，用户可根据实际需求优化数据传输效率。
　　电源管理方面，该芯片设计有低功耗待机模式，当处于非活跃状态时可自动进入节能状态，有助于延长系统整体能效表现，尤其适用于对热管理和功耗敏感的嵌入式系统。同时，其 1.8V 单电源供电设计降低了系统电源复杂度，并与现代 FPGA 和 ASIC 的 I/O 电压兼容，便于集成。
　　最后，该器件通过严格的工业级温度认证（-40°C 至 +85°C），保证了在极端环境下的可靠运行，适用于户外通信设备、工业自动化控制和车载电子系统等多种严苛应用场景。

CY7C2263KV18-550BZXI 主要应用于需要极高带宽和低延迟数据访问的高端通信与网络系统。典型应用包括核心路由器、多层交换机、无线基站（如 4G LTE 和 5G NR 基站）、光传输设备以及网络附加存储（NAS）系统中的数据包缓冲和队列管理。由于其双端口 QDR II+ 架构支持同时读写操作，常被用作网络处理器（NPU）与 FPGA 或 ASIC 之间的高速共享内存，实现高效的帧缓存、查找表存储和统计计数器维护。
　　在测试与测量设备中，该芯片可用于高速数据采集系统的临时存储，例如示波器、逻辑分析仪和协议分析仪，能够在不丢失数据的前提下实现连续高速采样。此外，在高性能计算（HPC）和数字信号处理（DSP）系统中，CY7C2263KV18-550BZXI 可作为协处理器的本地缓存，加速矩阵运算、FFT 计算和滤波算法的执行。
　　广播视频设备如高清视频切换台、帧同步器和视频编码器也广泛采用此类高速 SRAM 来处理未压缩的 4K/8K 视频流，确保画面切换无撕裂、低延迟。同时，该器件还可用于军事雷达系统、航空航天电子系统和工业机器视觉平台，承担关键任务下的实时图像处理和目标识别任务中的中间数据暂存。
　　得益于其高可靠性与宽温工作能力，该芯片也被集成于部分工业级 FPGA 开发板和通信模块评估套件中，供工程师进行原型验证和系统调试。其标准化接口和成熟的配套设计资源使得开发周期得以缩短，加快产品上市时间。

CY7C2263KV18-550BZXC
　　CY7C2255KV18-550BZXC
　　CY7C2255KV18-550BZXI