时间：2025/8/6 8:53:11
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IXDD614SITR是一款由IXYS公司制造的高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。这款芯片专为高功率和高频应用而设计，提供高效的信号驱动能力，以确保功率晶体管快速、稳定地工作。IXDD614SITR采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，支持高侧和低侧驱动应用，广泛用于电源转换、电机控制和工业自动化系统。
型号：IXDD614SITR
类型：高压栅极驱动器
电源电压：10V至20V
输出电流：4.0A（峰值）
传播延迟：17ns（典型值）
输入信号：TTL/CMOS兼容
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装类型：SOIC-16
IXDD614SITR的主要特性包括其高驱动能力和快速响应时间，使其适用于高频率的开关应用。
该芯片内部集成的高压浮动电路允许其在高侧驱动拓扑中直接使用，同时具备出色的抗噪声干扰能力。
此外，IXDD614SITR采用了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时停止输出，从而保护功率器件不受损害。
芯片还具有低交叉导通电流设计，以减少在高侧和低侧切换过程中的短路风险。
其紧凑的SOIC-16封装形式适用于高密度PCB设计，同时具备良好的热性能和可靠性。
IXDD614SITR主要用于各种高功率电子系统中，作为MOSFET或IGBT的栅极驱动器。
常见的应用包括DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率模块驱动电路。
由于其高集成度和高效能特性，该芯片也广泛用于新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车的电力控制系统。
此外，IXDD614SITR适用于需要高可靠性和高效率的开关电源设计，尤其是在需要高侧和低侧同步驱动的半桥或全桥电路中。
IR2110、IXDD614PI、IXDD615SITR
