时间：2025/6/28 14:12:49
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CBR08C309C5GAC 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，属于 GaN Systems 公司的 GS 系列产品。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）设计，具有极低的导通电阻和快速的开关性能，非常适合高频、高效率的电源转换应用。其封装形式为 CSP（芯片级封装），能够有效降低寄生电感，提高整体系统性能。
CBR08C309C5GAC 的设计旨在满足现代电力电子设备对更高效率、更小尺寸和更低损耗的需求，广泛应用于数据中心电源、通信电源、消费类快充适配器以及工业电源等领域。
型号：CBR08C309C5GAC
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
耐压：650 V
导通电阻：12 mΩ（典型值）
最大漏极电流：12 A
栅极驱动电压：4.5 V ~ 6 V（开启），0 V（关闭）
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：CSP（芯片级封装）
开关频率：支持高达 MHz 级别
反向恢复电荷：无（零反向恢复特性）
CBR08C309C5GAC 拥有卓越的性能特点，主要包括以下几点：
1. 极低的导通电阻：使得传导损耗显著降低，有助于实现更高的转换效率。
2. 快速开关能力：由于采用了先进的氮化镓材料，该器件能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗。
3. 零反向恢复特性：消除了传统硅基 MOSFET 中常见的反向恢复问题，进一步提升了效率。
4. 小型化封装：CSP 封装大幅减小了寄生电感，同时允许更紧凑的设计。
5. 高温稳定性：支持高达 175°C 的结温，确保在严苛环境下的可靠运行。
6. 安全性与保护机制：内置过流保护和短路保护功能，提高了系统的鲁棒性。
CBR08C309C5GAC 广泛适用于需要高效率和高频工作的场景，主要应用领域包括：
1. 数据中心和服务器电源模块
2. 通信基站电源
3. 消费类电子产品中的 USB PD 快充适配器
4. 无线充电设备
5. 工业电机驱动及控制
6. 太阳能逆变器
7. 电动汽车车载充电器（OBC）和其他相关应用
这款器件特别适合用于硬开关拓扑结构（如 Buck、Boost、Flyback 和 LLC 谐振变换器）中，以提供高效的功率转换。
GS66508T
TX65012A
