容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　介质材料：X5R
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　电极类型：Ni/Sn

UZG1E4R7MCL1GB 具有良好的温度稳定性，在-55°C至+85°C的工作温度范围内，其电容变化率控制在±15%以内，符合X5R介质材料的标准。该电容器采用了高介电常数陶瓷材料，能够在相对较小的封装尺寸内实现较高的电容值，满足现代电子设备对于小型化和高集成度的需求。此外，该器件的直流偏置特性较为稳定，在不同电压条件下仍能保持良好的电容性能，适合用于电源去耦和滤波电路。
　　在机械强度方面，该MLCC采用了高强度陶瓷体结构，能够承受较高的机械应力，减少了在安装和使用过程中可能出现的破裂风险。其Ni/Sn电极设计提高了焊接可靠性，适用于自动化贴片工艺，提升了生产效率和产品一致性。
　　电气性能方面，UZG1E4R7MCL1GB 具有较低的等效串联电阻（ESR）和较高的自谐振频率（SRF），因此在高频应用中表现出色，适用于高速数字电路、射频电路以及电源管理模块中的滤波和旁路应用。

UZG1E4R7MCL1GB 主要用于需要中高电容值且对温度稳定性和高频性能有一定要求的电子设备中。常见的应用场景包括电源管理IC的输入/输出滤波电容、DC-DC转换器的储能和去耦电容、射频模块中的旁路电容、以及各种便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的去耦和滤波电路。
　　由于其良好的直流偏置特性和较高的电容密度，该电容器也广泛应用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载导航系统等对可靠性要求较高的场景。此外，该器件还可用于工业控制设备、通信基站、网络设备等对电气性能和长期稳定性有较高要求的应用场合。

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