时间：2025/5/22 9:53:24
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2SB1188-R 是一种双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），主要用于高频功率放大和开关应用。该型号属于硅制 NPN 型晶体管，具有高增益、快速开关特性和良好的热稳定性。其设计适合在高频通信设备、无线模块和射频电路中使用。
集电极-发射极电压（Vce）：80V
集电极电流（Ic）：3A
直流电流增益（hFE）：最小值 50，最大值 300
频率特性（fT）：60MHz
功率耗散（Ptot）：62.5W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
2SB1188-R 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 80V 的集电极-发射极电压。
2. 较大的集电极电流容量，最高可达 3A，适用于中等功率场景。
3. 快速的开关速度，适合高频应用，典型频率响应为 60MHz。
4. 良好的热性能，可在极端温度范围内稳定工作。
5. 封装形式为 TO-220，便于散热设计且兼容大多数 PCB 布局需求。
6. 可靠性高，广泛用于工业级和商业级电子设备。
该晶体管主要应用于以下领域：
1. 高频功率放大器，在通信系统和无线传输中发挥重要作用。
2. 开关电源中的驱动元件，提供高效稳定的电流控制。
3. 工业控制设备中的信号处理与放大环节。
4. 消费类电子产品中的音频功放及射频模块。
5. 各种需要快速切换和大电流承载能力的场景。
2SC5200, 2SD1247
