时间：2025/7/8 10:42:29
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1EDC30I12MH 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压 MOSFET 晶体管，采用 TO-263-3 封装形式。该器件专为高效率、高性能开关应用设计，适用于工业控制、电源管理以及电机驱动等领域。这款 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：90ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1EDC30I12MH 属于 CoolMOS 系列，具有卓越的性能表现。
1. 高耐压能力：1200V 的额定电压使其非常适合高压应用场景，例如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。
2. 超低导通电阻：仅 180mΩ 的 Rds(on) 可有效减少导通损耗，从而提高整体效率。
3. 快速开关速度：低栅极电荷与短反向恢复时间确保了高效的高频操作。
4. 热稳定性强：支持高达 175℃ 的结温，能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准：无铅环保设计，满足全球绿色制造要求。
该器件广泛应用于各种需要高压、高效开关的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电机驱动
5. 电动车辆充电模块
6. 工业自动化设备中的功率控制单元
1EDC30I12MH_A1, IRFP460, STW9N120K5
