时间：2025/8/2 10:35:14
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T6633S 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。这款器件采用先进的沟槽式栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和快速开关特性，适用于高效能、高密度的电源系统设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
T6633S 的核心优势在于其极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其3.3mΩ的Rds(on)在30V耐压范围内表现出色，尤其适合高电流应用场景。该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，提供优异的开关性能，能够实现快速的导通和关断，降低开关损耗。
此外，T6633S 采用PowerFLAT 5x6封装，具备良好的热性能，能够在高功率密度设计中有效散热。这种封装形式还支持双面散热，进一步提升热管理能力，适合紧凑型PCB布局。该器件具有高雪崩能量承受能力，增强了系统在极端工作条件下的可靠性。
T6633S 还具备优异的抗短路能力，能够在短时间内承受过载电流而不损坏，从而提高系统的安全性和稳定性。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，适用于多种控制电路设计。
T6633S 主要应用于高效率电源管理系统，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的热性能和高电流能力也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、启停系统和电动助力转向系统（EPS）。此外，在服务器电源、通信设备电源和储能系统中，T6633S 也表现出色。
STL100N3LLF、IPW90R120P、SiR340DP、FDMS7680
