制造商：Vishay Siliconix
　　产品系列：UVR2
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：2.2V
　　击穿电压（VBR）：2.5V（最大值）
　　钳位电压（VC）：7.5V（典型值，IPP = 1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　漏电流（IR）：1μA（最大值）
　　电容值（Cj）：0.4pF（典型值，f = 1MHz）
　　响应时间：亚纳秒级
　　封装类型：DFN-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　ESD防护能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2）

UVR2V221MRD6具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应并抑制高达±15kV的静电放电冲击，确保下游集成电路的安全运行。其核心特性之一是超低电容设计，典型值仅为0.4pF，在高频信号传输应用中几乎不会引入信号衰减或失真，因此非常适合用于USB、HDMI、SD卡接口、I2C、UART等高速数字接口的ESD保护。该器件采用双向保护结构，可有效应对正负极性的瞬态电压事件，增强了系统的鲁棒性。由于其低钳位电压特性，在触发后能将线路电压限制在安全范围内（典型7.5V），避免后级CMOS器件因过压而损坏。UVR2V221MRD6还具有极低的漏电流（最大1μA），在待机或低功耗模式下不会增加系统功耗，适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其DFN-6封装不仅体积小巧，热性能良好，而且引脚电感低，有助于提升高频下的保护效率。该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4认证，表明其在严苛电磁环境中仍能提供可靠保护。此外，它还符合AEC-Q101车规级可靠性标准，可用于汽车信息娱乐系统和车载传感器接口。整个结构基于硅半导体技术，无需外部偏置电源即可自动工作，集成度高，使用简便。
　　该TVS阵列在制造过程中采用了先进的光刻和掺杂工艺，确保每个保护单元的一致性和长期稳定性。在多次ESD事件后仍能保持性能不变，展现出优异的耐久性。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C）使其可在极端环境条件下稳定运行，适应工业级和汽车级应用场景。与其他同类产品相比，UVR2V221MRD6在保持高性能的同时实现了更低的寄生参数和更高的集成度，是现代精密电子系统中理想的前端保护解决方案。

UVR2V221MRD6广泛应用于需要高等级ESD保护的电子系统中，特别是在高速数据接口领域表现出色。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB OTG端口、耳机插孔、触摸屏控制器连接线以及摄像头模组接口的静电防护。在笔记本电脑和超极本中，该器件可用于保护SATA、PCIe、HDMI和DisplayPort等高速串行链路，防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片。此外，它也适用于工业通信模块，如RS-485、CAN总线接口的次级保护，结合气体放电管或TVS二极管实现多级浪涌防护体系。在汽车电子方面，UVR2V221MRD6可用于车载导航系统、倒车影像输入、车内娱乐系统的音视频接口保护，满足CISPR 25和ISO 10605等电磁兼容标准。消费类电子产品如数码相机、智能手表、无线耳机等对空间和功耗要求极为严格，该器件的小型封装和低漏电流特性使其成为理想选择。在医疗设备中，尤其是便携式监护仪和手持诊断工具，其高可靠性保障了信号通道的长期稳定运行。此外，该器件还可用于保护微处理器的GPIO引脚、按键输入线路以及传感器信号线，防止人为操作或环境因素引起的瞬态干扰。由于其双向导通能力和快速响应特性，UVR2V221MRD6同样适用于差分信号线路的共模与差模过压保护，例如LVDS或MIPI接口。总之，任何存在ESD风险且对信号完整性有较高要求的应用场景均可考虑采用UVR2V221MRD6作为前端保护元件。

SM712-02HTG
　　RCLAMP0524P
　　TPD1E10B06