时间：2025/8/2 6:22:16
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APM2679CC-TRG是一款由Advanced Power Technology公司生产的高性能功率MOSFET器件，主要设计用于高效率电源转换和功率管理应用。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等高功率密度设计场景。该器件采用紧凑的封装形式，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的散热能力以保证长期运行的稳定性。
类型：功率MOSFET
封装形式：DFN（Dual Flat No-leads）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：12nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装尺寸：3.3mm x 3.3mm
功率耗散（Pd）：2.5W
APM2679CC-TRG具备多项优良特性，使其在高性能电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻可显著降低传导损耗，提高系统效率。该MOSFET的导通电阻仅为26mΩ，在同类产品中具有较强的竞争力。其次，该器件采用了DFN封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力，有助于在高电流应用中保持较低的工作温度，从而提升系统的可靠性和寿命。
此外，APM2679CC-TRG的栅极电荷较低（12nC），支持快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。其最大漏极电流为4.5A，能够在中等功率应用中提供稳定的电流传输能力。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应多种复杂的工作环境条件。
值得一提的是，该MOSFET在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少高频开关过程中产生的噪声，提高系统的电磁兼容性。这些特性使其成为电源管理、便携式设备、工业控制、通信设备等领域的理想选择。
APM2679CC-TRG广泛应用于多种电源管理与功率转换系统中。常见的应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化设备以及高性能嵌入式系统中的功率调节模块。由于其高效率、小尺寸和优异的热性能，该MOSFET也适用于对空间和功耗有严格要求的便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备等。
Si2302DS-T1-GE3, BSS138K, AO3400A, FDS6675
