ITS9064-1 时间：2025/12/28 15:13:14 阅读：10

ITS9064-1是一款常用的双路N沟道功率MOSFET芯片，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。ITS9064-1通常采用8引脚SOIC或TDFN封装，适用于需要高效能和小尺寸设计的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET（双路）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：5.5A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.4V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：8-SOIC / TDFN

特性

ITS9064-1采用了先进的TrenchFET技术，这使得其在相同的封装尺寸下能够提供更低的导通电阻，从而降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。由于是双路MOSFET设计，该芯片非常适合用于需要两个独立开关的应用场景，如H桥电机驱动或双通道DC-DC转换器。它的高集成度也使得电路设计更加简洁，减少了外围元件的数量，提高了整体系统的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平输入（例如3.3V或5V），因此可以直接由微控制器或其他数字控制器驱动，无需额外的栅极驱动电路。这种特性在简化设计的同时，也降低了系统成本。此外，ITS9064-1具有良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，适合在工业环境或高可靠性要求的场合中使用。