型号：UTT30P06G-TN3-R
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-60V
　　最大连续漏极电流(ID)：-30A @ 25°C
　　导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS = -10V, ID = -15A
　　导通电阻(RDS(on))：50mΩ @ VGS = -10V, ID = -30A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-2.0V ~ -4.0V
　　栅极电荷(Qg)：90nC @ VGS = -10V
　　输入电容(Ciss)：3800pF @ VDS = -50V
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　最大功耗(PD)：250W（TC=25°C）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

UTT30P06G-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。其典型的RDS(on)在-10V栅极驱动下仅为40mΩ，在大电流应用中表现出优异的热性能和电流承载能力。该器件具备较高的电流密度，能够在紧凑的空间内实现高功率输出，特别适用于空间受限但要求高性能的设计场景。其低栅极电荷（Qg=90nC）和较低的输入电容有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用中的效率。
　　该MOSFET的P沟道结构使其在高边开关配置中无需复杂的自举电路或专用驱动IC，简化了电源设计并降低了BOM成本。同时，其负压阈值电压范围合理（-2.0V至-4.0V），保证了良好的开关控制精度和抗噪声能力。器件具有较强的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换时的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=35ns），可有效减少反向恢复损耗，避免因反向电流引起的EMI问题。
　　TO-252封装提供了优良的散热性能，通过PCB上的铜箔即可实现有效的热管理。该封装还支持自动回流焊工艺，适用于大规模SMT生产线，提升了制造效率和产品一致性。器件符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。综合来看，UTT30P06G-TN3-R是一款兼具高性能、高可靠性和易用性的P沟道功率MOSFET解决方案。

UTT30P06G-TN3-R广泛应用于各类需要高效功率控制的电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC降压变换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上管使用，利用其低RDS(on)和无需自举驱动的优势，提高转换效率并简化电路设计。在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板和便携式仪器，该器件常用于电池充放电管理电路或负载开关，实现快速响应和低静态功耗。此外，它也适用于电机驱动电路中的H桥高边开关，提供稳定的电流控制和良好的热稳定性。
　　在工业控制领域，UTT30P06G-TN3-R可用于PLC模块、继电器替代方案和固态开关，替代传统机械开关以提升寿命和可靠性。其高电流承载能力和耐压特性使其适合用于电源分配单元（PDU）、热插拔控制器和冗余电源系统中，实现安全可靠的电源通断控制。在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于恒流调节或调光控制，确保光源稳定运行。同时，因其具备良好的EMI表现和快速开关能力，也被用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能微逆系统中的功率级设计。
　　由于其封装兼容性强且易于散热设计，UTT30P06G-TN3-R也适用于通用型开关电源适配器、AC-DC电源模块以及嵌入式电源系统。在汽车电子中，尽管非车规认证版本不适用于关键安全系统，但仍可用于车载辅助电源、车载充电器或灯光控制系统等非动力域应用。总体而言，该器件凭借其高性价比和稳定性能，在消费类、工业类及部分车载电子设备中均有广泛应用前景。

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　　 "FQP30P06",
　　 "SPM30P06",
　　 "IRF5305",
　　 "STP30P06",
　　 "SI4403DY"
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