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SI2301T 发布时间 时间:2025/5/15 16:46:24 查看 阅读:8

SI2301T 是一款来自 Vishay 的 N 沃特 (N-Channel) 模拟开关,采用微型 TSOT23-5 封装。它适用于低功耗和空间受限的应用场景,广泛用于便携式设备、消费电子和通信领域。该器件具有极低的导通电阻和快速切换能力。
  该芯片基于硅栅 MOS 技术制造,具备出色的电气性能,并且支持高达 5.5V 的工作电压范围。

参数

最大工作电压:5.5V
  导通电阻(典型值):1.4Ω
  漏电流(典型值):1nA
  带宽(-3dB):140MHz
  开关时间:6ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOT23-5

特性

SI2301T 提供了非常低的导通电阻(Rds(on)),这使其在信号切换过程中引入的损耗最小化。同时,其极低的漏电流保证了在电池供电设备中能够有效降低静态功耗。
  此外,该模拟开关支持高频率操作,适合处理视频信号和其他高频应用。由于采用了紧凑型 TSOT23-5 封装,它非常适合对尺寸敏感的设计环境。
  此器件还具有较高的 ESD 耐受性,从而提升了系统可靠性。

应用

SI2301T 常用于需要高性能模拟开关的各种应用,包括音频和视频信号切换、数据通信接口、传感器信号路由以及手持设备中的电源管理电路。
  具体应用场景可能涵盖智能手机、平板电脑、数码相机、便携式医疗设备以及其他需要高效信号切换的消费类电子产品。

替代型号

SI2302DS, SI2303DS

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