时间：2025/10/7 5:06:48
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UTT1E101MPD1TD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的硅 carbide（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有出色的电气性能和热稳定性，特别适用于高效率、高频率和高温工作环境下的功率转换应用。作为一款1200V额定电压的肖特基二极管，UTT1E101MPD1TD在反向耐压和正向导通特性之间实现了良好平衡，能够显著降低开关损耗并提升系统整体能效。该器件封装在高性能的Power Dual Package（PDP）中，有助于改善热管理和减小寄生电感，从而适用于紧凑型高功率密度设计。由于其无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，UTT1E101MPD1TD在硬开关和高频软开关拓扑中表现出色，广泛用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及服务器电源等领域。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适合在严苛环境下长期稳定运行。
型号：UTT1E101MPD1TD
制造商：Qorvo (原UnitedSiC)
器件类型：碳化硅肖特基二极管
反向重复峰值电压（VRRM）：1200 V
平均正向整流电流（IF(AV)）：10 A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80 A（单脉冲，半正弦波）
正向电压降（VF）：典型值1.7 V（在25°C，IF = 10 A时）
最大工作结温（TJ max）：175 °C
储存温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
反向漏电流（IR）：典型值 200 μA（在25°C，VR = 1200 V时）；最大值 1 mA（在125°C，VR = 1200 V时）
热阻（RθJC）：约 2.5 °C/W（典型值）
封装类型：Power Dual Package (PDP)
安装方式：表面贴装（SMD）
UTT1E101MPD1TD的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了传统硅基PN结二极管中存在的少子存储效应和反向恢复电荷（Qrr），从而在高频开关操作中大幅减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。由于没有反向恢复过程，该二极管在与MOSFET或IGBT配合使用时，不会产生额外的电流尖峰，有助于提高系统的可靠性和效率。
该器件具有出色的热性能，其最大结温可达175°C，允许在高温环境中持续运行而无需过度依赖复杂的散热设计。同时，较低的热阻（RθJC ~2.5°C/W）确保了热量能够高效地从芯片传导至散热器或PCB，提升了功率密度和系统紧凑性。此外，其正向压降（VF）在额定电流下保持在1.7V左右，虽略高于部分硅器件，但由于零Qrr带来的系统级效率增益，总体功耗更低。
UTT1E101MPD1TD采用Power Dual Package（PDP）封装，该封装优化了内部引线布局和热路径设计，降低了寄生电感和电阻，提高了器件在高频应用中的动态性能。PDP封装还支持双面冷却或通过PCB散热，进一步增强了热管理能力，非常适合用于高功率密度模块化电源设计。
该二极管对dv/dt和di/dt具有良好的抗扰度，能够在快速电压变化条件下稳定工作，适用于LLC谐振变换器、图腾柱PFC、有源钳位反激等先进拓扑结构。其稳定的反向漏电流特性和长期可靠性使其在恶劣工业环境和户外应用中表现优异。
UTT1E101MPD1TD广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在服务器电源和电信整流器中，它常被用作输出整流二极管或PFC升压二极管，利用其零反向恢复特性来提升轻载和满载效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧升压电路，帮助实现更高的转换效率和更小的滤波元件尺寸，从而降低系统成本和体积。
在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，UTT1E101MPD1TD因其高温稳定性和高频适应性，成为理想的选择，尤其适用于图腾柱无桥PFC拓扑，可显著减少总谐波失真（THD）并提高功率因数。此外，在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，该二极管可用于续流或钳位功能，提升系统动态响应和可靠性。
该器件也适用于高密度DC-DC转换器、焊接设备电源、感应加热装置以及储能系统中的功率转换模块。由于其优异的开关特性和热性能，UTT1E101MPD1TD支持更高频率的操作，从而允许使用更小的磁性元件和电容，推动电源系统向小型化、轻量化发展。
UD1SC1240A
