10TAE68M 是一款由 Vishay Semiconductor 出产的表面贴装型多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于温度补偿型电容器类别,采用 X7R 介电材料制造,具有良好的电容稳定性和温度特性。该电容器广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高可靠性和稳定性能的电路设计中表现突出。其封装尺寸为 1210(3225 公制),额定电压为 100V DC,标称电容值为 68μF,公差通常为 ±20%。10TAE68M 属于高电容密度的 MLCC 器件,适用于去耦、滤波、旁路和储能等典型应用场景。由于其无极性特性和低等效串联电阻(ESR),在高频电路中表现出优异的性能。此外,该器件符合 RoHS 指令要求,不含铅,适合现代环保型电子产品制造。
产品类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
电容值:68μF
容差:±20%
额定电压:100V DC
介电材料:X7R
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
温度特性:ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
封装尺寸:1210(3.2mm x 2.5mm)
安装类型:表面贴装(SMD)
电极材料:镍/锡外电极(Ni/Sn)
失效率:标准工业级
RoHS 符合性:符合
10TAE68M 采用先进的叠层陶瓷工艺制造,具备出色的电容稳定性与机械强度。其 X7R 介电材料确保了在整个工作温度范围内电容值变化较小,适用于对温度敏感的应用场景。该电容器具有非常低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其在高频去耦和电源滤波应用中表现优异。由于其表面贴装封装形式,能够适应自动化贴片生产流程,提高组装效率和可靠性。器件经过严格的老化测试和环境应力筛选,确保长期运行的稳定性。
该型号具备良好的抗湿性和耐焊接热性能,在回流焊过程中不易出现裂纹或性能下降。其结构设计优化了内部电极分布,减少局部电场集中,从而提高了耐压能力和寿命。此外,68μF 的大容量在 1210 封装中实现了较高的体积效率,满足现代电子产品小型化需求的同时提供足够的储能能力。
10TAE68M 还具备优异的噪声抑制能力,可用于模拟信号路径中的滤波电路,有效降低电源噪声对敏感电路的影响。其非极化特性也使其在交流耦合电路中具有广泛应用前景。整体而言,该器件结合了高性能、高可靠性和环保特性,是工业控制、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。
10TAE68M 多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出滤波电容,用于平滑输出电压并减少纹波。在 DC-DC 转换器中,它作为输入和输出端的去耦电容,有效抑制高频噪声传播。此外,该器件也常用于 FPGA、ASIC 和微处理器的电源引脚旁路,保障核心芯片供电稳定。
在工业控制系统中,10TAE68M 被用于 PLC 模块、传感器接口和电机驱动电路中的滤波与稳压环节。通信设备如基站、路由器和光模块中,该电容用于电源管理单元和时钟电路的噪声抑制。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和电视中,它参与音频信号路径滤波和背光电源调节。
汽车电子领域中,该器件可用于车载信息娱乐系统、ADAS 模块和车身控制单元,满足 AEC-Q200 可靠性要求的应用场合(需确认具体批次是否通过认证)。此外,在医疗仪器、测试测量设备和电源适配器中也有广泛应用。其宽温特性和高可靠性使其适合恶劣环境下的长期运行。