UTD420L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:35:11 阅读：11

UTD420L-TN3-R是一款由Unisonic Technologies Co., Ltd.生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），属于小型表面贴装器件，适合在空间受限的印刷电路板上使用。由于其良好的热稳定性和电气性能，UTD420L-TN3-R在便携式电子设备中表现出色，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子产品。该MOSFET设计用于在低电压控制信号下实现高效的功率切换，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。

参数

型号：UTD420L-TN3-R
　　制造商：Unisonic Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　通道类型：N-Channel
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：4.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：17.6A
　　导通电阻(Rds(on))：20mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.2A
　　导通电阻(Rds(on))：24mΩ @ Vgs=2.5V, Id=2.2A
　　阈值电压(Vgs(th))：0.4V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ Vds=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

特性

UTD420L-TN3-R采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够在较小的芯片面积内实现更低的导通电阻和更高的载流能力。其Rds(on)仅为20mΩ（在Vgs=4.5V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间。
　　该器件具备非常低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使其在高频开关应用中表现优异。快速的开关响应减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了转换效率，尤其适用于同步整流、负载开关和DC-DC降压变换器等对效率要求较高的场合。
　　UTD420L-TN3-R的阈值电压范围为0.4V至1.0V，这意味着它可以在较低的控制电压下开启，兼容3.3V或甚至1.8V逻辑电平的微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，简化了系统设计并降低了成本。
　　其SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具有良好的热传导性能。尽管封装尺寸小，但在适当的PCB布局和散热设计下，仍可承载高达4.4A的连续漏极电流，展现出优秀的电流处理能力与热稳定性。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗静电能力（ESD保护）和可靠的长期运行稳定性，能够在恶劣的工作环境中保持性能一致。内部结构优化减少了寄生参数的影响，提升了器件在瞬态条件下的响应能力。综合来看，UTD420L-TN3-R是一款高性能、高性价比的功率开关器件，特别适合用于小型化、高效能的现代电子系统中。

应用

UTD420L-TN3-R广泛应用于各类低电压、中等电流的功率开关场景。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池供电切换、背光LED驱动电路以及USB端口的过流保护与热插拔控制。
　　在DC-DC转换器中，该器件常被用作同步整流管或主开关管，尤其是在降压型（Buck）拓扑结构中，凭借其低Rds(on)和快速开关特性，能够有效减少导通损耗和开关损耗，提高电源转换效率。
　　此外，它也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端开关使用，提供精确的电流控制和快速关断能力。
　　在负载开关应用中，UTD420L-TN3-R可用于控制不同功能模块的上电时序，防止浪涌电流冲击主电源，保护敏感电路元件。
　　其他应用场景还包括笔记本电脑的待机电源控制、IoT设备的节能模式切换、无线耳机充电仓的充放电管理电路以及各种嵌入式系统的电源多路复用设计。由于其SOT-23封装的小尺寸优势，特别适合高度集成化的主板设计。