E09A7218ATR 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频(RF)晶体管,主要用于高频放大和射频功率放大应用。该器件采用先进的双极型硅晶体管技术,具备高增益、低噪声和优异的高频性能。E09A7218ATR 通常用于无线通信系统、广播设备、测试仪器和工业控制系统中的射频信号放大。
类型:射频双极型晶体管(RF BJT)
封装类型:表面贴装(Surface Mount)
晶体管类型:NPN
最大工作频率:200 MHz
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大功耗:100 mW
增益(hFE):最小 40 @ 2 mA, 5 V
噪声系数:典型 2.5 dB @ 1 MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
E09A7218ATR 的核心优势在于其在中高频范围内的优异性能,特别是在低噪声和高增益方面的表现。该晶体管采用了优化的硅基工艺,确保在高频下仍能保持稳定的增益和低噪声系数。其NPN结构适用于多种射频放大电路,包括前置放大器、中频放大器和小型射频发射机。此外,该器件的表面贴装封装使其适用于现代自动化装配工艺,提升了电路板组装的效率和可靠性。
该晶体管的高可靠性设计使其能够在苛刻的环境条件下稳定运行,例如高温和高湿度环境。它的低功耗特性也有助于减少整体系统的能耗和发热。E09A7218ATR 还具备良好的线性度,适用于需要高质量信号放大的应用,如调频(FM)广播和数字通信系统。
另一个显著特点是其广泛的工作电压范围,这使得该器件能够在不同的电源配置下运行,增强了其在不同系统中的适用性。Renesas 提供了详尽的数据手册和应用指南,帮助工程师快速将其集成到设计中。
E09A7218ATR 主要用于以下领域:无线通信设备中的射频和中频放大器、广播接收器和发射器、测试与测量仪器、工业控制系统、汽车电子系统中的射频模块、以及便携式通信设备中的低噪声放大电路。由于其优异的高频性能和低功耗特性,该晶体管也常用于需要高灵敏度的接收器前端。
E09A7218CTR, BFU520, BFU550, BFG21, BFR93A