容量：32 Mbit（4MB）
　　组织结构：按字节寻址，分为 128 个可独立擦除的块
　　接口类型：并行异步接口（x8/x16 可配置）
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装形式：48-pin TSOP (Type I)
　　访问时间：70ns（最大）
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　写保护机制：硬件 WP# 引脚与软件写保护结合
　　待机电流：< 100μA（典型值）
　　读取电流：< 20mA（典型值）
　　编程/擦除电流：< 30mA（典型值）

GE28F320C3BC70 具备多项先进的闪存技术特性，确保其在复杂嵌入式环境中的稳定性和可靠性。首先，它采用了 Intel 的 StrataFlash 技术，这是一种基于浮动栅极结构的多层单元（MLC）存储技术，能够在相同的硅片面积上实现比传统单层单元（SLC）更高的存储密度，从而显著降低每比特的存储成本。尽管 MLC 通常在耐久性和数据保持方面略逊于 SLC，但 GE28F320C3BC70 通过优化的编程算法和错误管理机制，在性能与可靠性之间取得了良好平衡。该芯片支持页编程操作，每页可写入多个字节，提高了写入效率；同时支持按块擦除，每个块大小为 64KB，共 128 个块，便于灵活管理文件系统或固件更新。
　　其次，该器件具备较强的抗干扰能力和数据保持能力，可在断电情况下保持数据长达 10 年以上，并支持至少 100,000 次的擦写周期，满足大多数工业和通信应用的需求。其内置电荷泵电路可在标准 3.3V 电源下完成编程和擦除操作，无需外部高压电源，简化了系统设计。此外，芯片提供硬件写保护引脚（WP#），可在物理层面防止意外修改关键代码区域，如引导程序或配置参数。配合软件命令集，用户可实现细粒度的区域锁定功能。
　　在性能方面，GE28F320C3BC70 提供 70ns 的快速读取访问时间，适合直接执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用模式，即处理器可以直接从闪存中运行程序而无需将其复制到 RAM，节省内存资源并加快启动速度。其并行接口支持 x8 或 x16 数据宽度配置，兼容多种微控制器和 DSP 处理器的外部存储器接口。整体设计注重低功耗，在待机模式下电流低于 100μA，适合电池供电或对能耗敏感的系统使用。

GE28F320C3BC70 主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。一个典型应用场景是通信基础设施设备，如路由器、交换机和基站控制器，其中该芯片用于存储引导加载程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。由于其具备良好的温度适应性和长期数据保持能力，非常适合部署在户外或工业环境中。在工业控制系统中，例如可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），该芯片可用于保存用户程序、设备参数和历史日志数据。
　　在汽车电子领域，GE28F320C3BC70 曾被用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和仪表盘控制单元中，作为存储固件和校准数据的介质。虽然现代汽车已更多转向串行 NOR 或 NAND Flash，但在一些老款车型或特定子系统中仍有应用。此外，该芯片也常见于测试测量仪器、医疗设备和航空航天电子系统中，用于存储校准系数、诊断程序和运行记录。
　　由于其支持 XIP（就地执行）功能，GE28F320C3BC70 特别适合那些希望减少系统 RAM 占用、提升启动速度的设计方案。例如，在无操作系统或轻量级 RTOS 的嵌入式设备中，主控 MCU 可直接从该芯片读取指令运行，避免将整个程序加载至内存，从而降低整体 BOM 成本。此外，其块擦除和页编程机制便于实现现场固件升级（FOTA 或现场服务工具），提升了设备的可维护性。尽管目前已被更先进的闪存产品取代，但在产品维护、备件替换和 legacy system upgrade 场景中仍然具有实际价值。

MT28F320C3BC70
　　S29GL032N90TFI010
　　IS28F320J3C-70