型号：UTC4N65L-TN3-R
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.8Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vth)：2~4V
　　输入电容(Ciss)：典型值750pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：典型值290pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：典型值35ns
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

UTC4N65L-TN3-R采用先进的超级结（Super Junction）结构设计，显著降低了导通电阻与寄生电容之间的折衷关系，从而实现了在650V高耐压条件下仍具备较低的Rds(on)，有效提升了器件的功率密度和转换效率。其典型导通电阻仅为1.8Ω，在同类4A电流等级的MOSFET中表现出色，有助于减少导通损耗，特别适用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CRM）的PFC电路以及反激式转换器中。
　　该器件具备优良的开关特性，输入电容和输出电容均经过优化，使得在高频工作环境下（如100kHz以上）仍能保持较低的开关损耗。同时，其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的负担，有利于简化驱动设计并提高系统响应速度。体二极管的反向恢复时间短（典型35ns），可有效抑制反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险，并减少对其他元件的应力冲击，提高系统稳定性。
　　在可靠性方面，UTC4N65L-TN3-R具备坚固的栅氧层设计，可承受±20V的栅源电压，提高了抗过压能力。器件通过了严格的雪崩能量测试，具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。其工作结温可达+150℃，支持高温环境下的持续工作，并配合TO-220F封装的良好散热性能，确保长时间运行的热稳定性。
　　此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。生产过程中采用无卤素材料，满足现代环保标准。统晶半导体对该型号实施严格的质量管控，确保批次一致性与长期供货能力，适合大规模工业生产和消费类电子产品使用。

UTC4N65L-TN3-R主要应用于各类高效率开关电源系统中，特别是在需要650V耐压等级的中等功率场合表现优异。常见应用包括手机、笔记本电脑、平板等设备的AC-DC适配器和充电器，这类产品对体积、效率和成本有较高要求，而该MOSFET凭借低导通电阻和良好开关特性，有助于实现高能效和小型化设计。
　　在LED照明领域，尤其是大功率LED驱动电源中，UTC4N65L-TN3-R可用于反激式或PSR（原边反馈）拓扑结构中作为主开关管，提供稳定的能量转换效率，并支持宽输入电压范围下的可靠运行。其快速开关能力和低电磁干扰特性也有助于满足照明产品的EMI认证要求。
　　在通信设备和服务器电源中，该器件常用于PFC（功率因数校正）升压电路中，尤其是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）下工作，能够有效提升功率因数并降低总谐波失真（THD），满足能源之星等能效标准。此外，它也适用于工业电源、辅助电源（Auxiliary Power Supply）、小型UPS不间断电源以及家电控制板中的隔离电源模块。
　　由于其良好的热性能和可靠性，UTC4N65L-TN3-R还可用于环境较为严苛的工业控制系统中，例如PLC、电机驱动控制器和传感器供电单元。其封装形式便于安装散热片，进一步提升散热能力，适用于长时间连续运行的应用场景。

STP4NK65ZFP
　　FQP4N65C
　　KIA4N65F