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H9DA4VH4JJMMCR-4EMR 发布时间 时间:2025/9/1 15:43:43 查看 阅读:10

H9DA4VH4JJMMCR-4EMR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片。该型号属于3D NAND技术的产品,主要设计用于高存储需求和高性能要求的应用场景,如固态硬盘(SSD)、企业级存储设备、工业计算机和嵌入式系统等。这款NAND闪存芯片采用多层堆叠结构,以提高存储密度并降低每比特成本,同时提供较高的读写速度和可靠性。

参数

品牌:SK Hynix
  型号:H9DA4VH4JJMMCR-4EMR
  类型:3D NAND Flash
  容量:128GB
  接口:ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0 可选
  电压:1.2V / 1.8V
  封装:152-ball BGA
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  读取速度:最高可达 800 MT/s
  写入速度:最高可达 800 MT/s
  擦除速度:块擦除时间约2ms
  可靠性:支持ECC纠错、坏块管理、磨损均衡技术
  寿命:约3000 P/E周期(编程/擦除周期)

特性

H9DA4VH4JJMMCR-4EMR 是一款基于3D NAND技术的高性能存储芯片,其主要特性包括:
  1. **高存储密度**:采用3D NAND架构,实现128GB的高存储容量,适用于需要大容量数据存储的应用场景。
  2. **高速接口**:支持ONFI 4.0或Toggle Mode 2.0接口协议,数据传输速率高达800 MT/s,显著提升读写性能。
  3. **低功耗设计**:通过1.2V和1.8V双电压供电,优化功耗表现,适用于对能效要求较高的设备。
  4. **高可靠性**:内置ECC(错误校正码)机制,支持坏块管理与磨损均衡技术,延长使用寿命并提高数据可靠性。
  5. **宽温工作范围**:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适应工业级应用环境。
  6. **先进封装技术**:采用152-ball BGA封装,体积小巧,便于在紧凑型设备中集成。
  7. **长使用寿命**:具备约3000次P/E周期的耐用性,适合频繁读写操作的应用场景。
  8. **兼容性良好**:支持主流NAND控制器和存储系统,具备良好的兼容性与扩展能力。

应用

H9DA4VH4JJMMCR-4EMR 主要应用于对存储容量、性能和可靠性有较高要求的各类电子设备和系统中。常见应用包括:
  1. **固态硬盘(SSD)**:作为主存储单元,用于消费级、企业级及工业级SSD中,提供快速的数据读写能力。
  2. **服务器与数据中心**:用于构建高性能存储系统,满足大规模数据存储与高速访问需求。
  3. **工业计算机与嵌入式系统**:适用于工业自动化、智能交通、医疗设备等对环境适应性和可靠性要求高的场合。
  4. **监控存储设备**:用于视频监控录像存储,支持长时间高清视频数据的连续写入与回放。
  5. **车载电子系统**:用于车载导航、行车记录仪等设备,确保在复杂环境下的稳定运行。
  6. **边缘计算与物联网(IoT)设备**:用于本地数据缓存与处理,支持低延迟和高可靠性数据存储。

替代型号

H9HA4TH8JJMMCR-4EMR, H9HQTS8WJFACUR-4HMR, H9HPH8J4VUMUBCR-4HMR

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