电容：1800pF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V DC
　　温度特性：X7R（±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　长度：2.0mm ±0.2mm
　　宽度：1.25mm ±0.2mm
　　高度：最大1.25mm
　　电极结构：Ni/Sn（镍/锡阻挡层）
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 ≥1000MΩ·μF（取较小值）
　　耐电压：2.5倍额定电压，1分钟无击穿或闪络
　　ESR：低（典型用于高频去耦）
　　ESL：低（优化高频性能）
　　焊接耐热性：符合JIS C 0050标准（回流焊条件）

LNC2H182MSEG作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备出色的温度稳定性和电压耐受能力。其X7R介电材料确保了在-55°C至+125°C的极端温度区间内电容值变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V类电容，因此特别适用于需要长期稳定工作的电源管理模块、DC-DC转换器输出滤波、时钟振荡电路以及信号耦合路径中。该器件的100V额定电压使其能够在中高压系统中安全运行，例如工业控制电源、车载信息娱乐系统或通信基站模块，避免因瞬态过压导致的击穿风险。
　　该电容器采用先进的叠层陶瓷工艺，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，极大提升了单位体积内的电容密度。同时，内电极通常采用贵金属如钯银合金，外电极为镍阻挡层加锡镀层，这种结构不仅增强了抗迁移能力，防止潮湿环境下发生银离子迁移，还显著提升了焊接可靠性与长期耐腐蚀性。在实际应用中，LNC2H182MSEG表现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频去耦场景下能快速响应瞬态电流变化，有效抑制电源噪声，提升系统EMI性能。
　　此外，该型号符合RoHS环保指令，并支持无铅回流焊接工艺，适应现代绿色制造要求。其机械强度高，抗弯曲性能良好，配合适当的PCB布局设计可有效避免因基板形变引起的裂纹失效。对于汽车电子应用，虽然并非所有批次均标注为AEC-Q200认证，但同一系列中存在车规级版本，用户可根据具体需求选择相应供货渠道。总体而言，LNC2H182MSEG是一款兼顾性能、可靠性与成本效益的通用型高压MLCC，在多种严苛应用场景中表现优异。

LNC2H182MSEG广泛应用于各类需要稳定电容特性和中高压耐受能力的电子设备中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的RC缓冲电路、DC-DC变换器的输入输出滤波、逆变器控制板的噪声抑制、LED驱动电源的电压稳定环节，以及工业PLC模块中的信号隔离与耦合。由于其工作温度范围宽，也常被用于汽车电子系统，如发动机控制单元（ECU）、车载导航系统、ADAS传感器供电线路中，用于去除高频干扰并提供瞬时能量支持。
　　在通信设备领域，该电容器可用于射频前端模块的偏置电路旁路、中频放大器的耦合电容或晶振参考电路的负载电容，利用其稳定的X7R特性保证频率精度不受温度波动影响。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，LNC2H182MSEG可用于音频信号路径的交流耦合、摄像头模组的电源去耦，以及电池管理IC周边的滤波网络，发挥其小尺寸、高性能的优势。
　　在医疗电子设备中，由于对长期稳定性和安全性要求较高，该型号凭借高绝缘电阻和低漏电流特性，可用于病人监测仪器的模拟前端滤波电路。同时，在测试测量仪器如示波器、逻辑分析仪中，该电容器也常出现在探头补偿网络或ADC参考电压滤波部分，确保信号完整性。总之，LNC2H182MSEG凭借其可靠的电气性能和成熟的制造工艺，已成为多种高端电子系统中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71H182KA01L
　　C2012X7R1H182K
　　CL21B182KBANNNC
　　ECJ-2VB1H182M