型号：UT30P04L-TN3-R
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-3A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(ON)）：75mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23-3
　　安装类型：表面贴装
　　极性：P沟道
　　功率耗散（PD）：1W @ TA=25°C

UT30P04L-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备出色的电学性能和热稳定性，特别适用于低电压、中等电流的开关应用。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS = -10V条件下，RDS(ON)典型值仅为55mΩ，而在VGS = -4.5V时也仅为75mΩ，这使得器件在导通状态下产生的功耗极低，显著提升了电源系统的转换效率。对于电池供电设备而言，这种低损耗特性有助于延长续航时间。此外，较低的RDS(ON)还能减少发热，从而降低对散热设计的要求，有利于实现更紧凑的产品结构。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了在低电压逻辑信号下也能可靠开启，兼容3.3V或5V驱动电路，适合用于微控制器直接驱动的开关场合。输入电容Ciss为450pF，在高频开关应用中表现出良好的响应速度，配合8ns的开启延迟时间和28ns的关断延迟时间，使其能够胜任高速开关任务，如DC-DC转换器中的同步整流或负载切换。同时，器件的最大漏源电压为-30V，可安全应用于多种常见的负压或正压电源轨控制场景。
　　UT30P04L-TN3-R采用SOT-23-3小型封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，尤其适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品。该封装具有良好的热传导性能，结合1W的最大功率耗散能力（在25°C环境温度下），可在适度负载条件下稳定运行。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业与消费级环境要求。产品符合RoHS指令，不含铅和有害物质，支持环保生产流程，并可通过标准回流焊工艺进行自动化组装，提升生产效率和可靠性。

UT30P04L-TN3-R广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池电源开关，用于控制电池与主电路之间的连接与断开，实现节能待机或过载保护功能。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用作高端开关或同步整流元件，尤其是在非隔离式拓扑结构中，发挥其低导通电阻的优势以减少能量损耗。此外，它也常用于负载开关电路，控制不同模块的供电通断，例如显示屏背光驱动、外设电源管理或传感器供电单元，防止启动冲击电流影响系统稳定性。
　　在电机驱动、继电器驱动或LED驱动电路中，UT30P04L-TN3-R可用于实现简单的开关控制功能，凭借其快速响应能力和良好的电流承载能力，确保驱动信号准确传递。通信设备中的接口电源管理模块也常采用此类MOSFET进行电压轨切换，保障数据传输过程中的电源完整性。此外，该器件适用于各种消费类电子产品，如智能音箱、无线耳机充电盒、USB电源开关、移动电源输出控制等，满足对空间和效率的双重需求。工业控制领域的小型PLC、传感器节点和嵌入式控制系统中，也可利用其可靠的开关性能进行电源分配管理。总之，凡涉及低电压、中等电流、高集成度的P沟道开关应用，UT30P04L-TN3-R均是一个理想选择。

APM3004P-13-F
　　DMG3415U,T1G
　　FDD8447P
　　SI2301-ADJ
　　NTR4101P