产品类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：68V
　　平均整流电流（IO）：1.5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半波）
　　最大直流阻断电压（VR）：68V
　　最大正向压降（VF）：680mV @ 1.5A（每二极管）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 68V，25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2

MS125-680MT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术通过金属-半导体结替代传统的PN结，显著降低了正向导通压降，从而有效减少了功率损耗并提高了系统整体效率。在高频开关电源应用中，如DC-DC转换器和开关模式电源（SMPS），低VF特性意味着更少的能量以热量形式耗散，有助于提升能效并简化散热设计。同时，该器件具备非常快的反向恢复时间，理论上肖特基二极管属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子存储效应，因此其开关速度远高于普通整流二极管，能够支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率，非常适合用于高频整流和续流应用。
　　另一个关键特性是其高可靠性与稳健的电气性能。MS125-680MT能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行，具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力，使其在面对输入电压瞬态或启动冲击时仍能安全工作。此外，其反向漏电流控制在较低水平（典型值200μA以下），即便在高温环境下也能维持较好的阻断性能。器件的工作结温可达+125°C，表明其具有良好的热稳定性，适用于紧凑型高密度布局的设计。SMA封装提供了良好的散热路径，并兼容标准回流焊工艺，便于大规模自动化生产。该封装还具备较高的机械强度和抗湿性，增强了产品的长期可靠性。
　　从系统设计角度来看，MS125-680MT的共阴极双二极管结构特别适用于全波整流或双路同步整流拓扑，可以在不增加额外元件的情况下实现电路功能集成，节省PCB空间。此外，该器件无铅且符合RoHS指令要求，满足现代电子产品对环保法规的合规性需求。Vishay作为全球领先的分立半导体制造商，确保了该型号的一致性和供货稳定性，使其成为工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域中可靠的选择。

MS125-680MT广泛应用于多种电力电子和信号处理电路中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作输出整流二极管，特别是在低压大电流输出场景下，其低正向压降可显著提升转换效率。在DC-DC转换器模块中，无论是升压（Boost）、降压（Buck）还是反激式（Flyback）拓扑，该器件均可作为续流二极管或箝位二极管使用，有效防止电感反电动势对主开关管造成损害，并回收能量以提高效率。
　　在逆变器和电机驱动电路中，MS125-680MT可用于保护MOSFET或IGBT等功率开关器件，充当续流或飞轮二极管角色，在开关关断期间提供电流通路，避免电压尖峰导致器件击穿。此外，该器件也适用于电池充电管理电路、USB电源接口、LED驱动电源以及便携式设备的电源管理系统中，凭借其小尺寸和高效特性，有助于实现轻薄化和节能化设计。
　　在通信设备和网络基础设施中，MS125-680MT可用于隔离不同电源域或进行电压电平转换。其快速响应能力也使其适用于高频信号整流和检波电路。此外，在工业控制系统、传感器供电单元和嵌入式电源模块中，该二极管阵列因其高可靠性和宽温工作范围而备受青睐。总之，凡涉及中低电压、中等电流、高效率整流与保护功能的场合，MS125-680MT均是一个理想选择。

MBR125-680MT
　　SBM125-680MT
　　VS125-680M3