时间：2025/9/13 7:21:42
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VSL100N10MS是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的导通电阻和开关性能，适用于工业控制、电源供应器及DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ
封装类型：TO-247
VSL100N10MS具备低导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流承载能力与热稳定性相结合，确保了在高负载条件下的可靠运行。此外，该MOSFET拥有快速开关特性，降低了开关损耗，适合高频操作环境。器件的封装设计优化了散热性能，有助于延长使用寿命并提升整体系统效率。
VSL100N10MS还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，使其在严苛的工作条件下依然保持稳定性能。该器件的栅极设计提供了优异的驱动特性和稳定性，减少了栅极驱动损耗，进一步提升了系统效率。此外，其封装形式适用于多种电路布局，增强了设计的灵活性。
为了确保在实际应用中的稳定性，VSL100N10MS经过严格的测试和验证，符合多项行业标准，包括高湿度和高温环境下的性能要求。这使得它成为工业自动化、电信设备和可再生能源系统中的理想选择。
VSL100N10MS常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器、逆变器以及各种工业自动化设备中。其高效能特性使其在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。
IPW90R120C3, STP100N10F7}
