时间：2025/9/14 13:25:12
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PEMH2,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道、高功率、高频应用的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件广泛用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电源管理等场景。这款 MOSFET 采用了先进的 Trench 工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、高效率和高可靠性等特点。PEMH2,115 采用无铅封装，符合 RoHS 和 WEEE 环保标准，适用于各种高要求的电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：115A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：约5.3mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：约7.8mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerSO-8
功耗（Ptot）：60W
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：100V
最大工作频率：200kHz
PEMH2,115 是一款高性能的功率 MOSFET，具有极低的导通电阻和高电流处理能力，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其采用先进的 Trench 技术确保了优异的导通特性和热性能，适合在高功率密度应用中使用。
该器件具有出色的热稳定性和耐用性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。此外，PEMH2,115 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载下也能保持较低的温升。
该 MOSFET 支持逻辑电平驱动，可在 4.5V 至 10V 的栅极电压下正常工作，兼容多种驱动电路。同时，其高雪崩能量能力提供了良好的抗过载和抗瞬态冲击性能，增强了系统的稳定性和可靠性。
PEMH2,115 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，适用于对安全性和可靠性要求较高的工业设备和汽车电子系统。其无铅环保封装符合现代电子产品的环保要求，适用于自动贴装工艺，提升了生产效率。
PEMH2,115 主要用于需要高效率、高功率和高可靠性的电源系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统、服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制电路以及汽车电子应用等场景。
SiSS115N10NM5-GE3, IPB011N10NM5ATMA1, SQJQ115EP10R5-T1_GE3
