容量：16Mbit
　　组织方式：2M x8/1M x16
　　工作电压：2.7V至3.6V
　　访问时间：12ns（最大）
　　封装形式：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口类型：标准异步SRAM接口
　　读取电流：10mA（典型）
　　待机电流：10μA（最大）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　擦除/编程周期：10万次

HY29DS163BT-121 是一款基于CMOS工艺制造的高性能Flash存储器芯片，采用先进的制造技术，具备卓越的耐用性和数据保持能力。该芯片支持异步SRAM接口，兼容多种微处理器和控制器，使得系统设计更加灵活。
　　     该芯片的访问时间为12ns，具有快速读取能力，能够满足高速数据访问的需求。其低功耗设计在待机模式下仅消耗极小的电流，适用于对功耗敏感的应用场景。
　　     HY29DS163BT-121 提供2M x8或1M x16的组织方式，支持字节模式和字模式访问，用户可以根据实际需要选择合适的工作模式。该芯片的编程和擦除操作由内部电荷泵完成，无需外部高压电源，简化了系统电源设计。
　　     该芯片支持10万次擦除/编程周期，具备较长的使用寿命，并可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适合工业级和汽车级应用环境。

HY29DS163BT-121 广泛应用于需要高性能和高可靠性的嵌入式系统中。例如，它可以用于工业自动化控制设备、通信基站、路由器和交换机、汽车电子控制系统（如ECU和车载导航系统）等。此外，该芯片也适用于需要高速存储和低功耗运行的便携式电子产品和医疗设备。

Intel StrataFlash Memory P30, AMD Am29DL163GC