型号：UT110N03
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：110A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：350A
　　导通电阻RDS(on)：1.8mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：2.3mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：约4800pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：约1200pF
　　反向恢复时间trr：约25ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

UT110N03采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，典型值在VGS=10V时仅为1.8mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。特别是在大电流应用中，如同步整流、电池管理系统和电动工具驱动电路中，这种低RDS(on)特性能够有效减少发热，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，例如在VGS=4.5V时RDS(on)仅为2.3mΩ，这意味着它可兼容3.3V或5V逻辑电平的控制器，适用于由微控制器或PWM控制器直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达110A（在壳温25℃条件下），脉冲电流更高达350A，使其能够在瞬态负载或启动浪涌条件下可靠工作。这一特性使其非常适合用于电机启动、电源软启动或大功率LED驱动等需要短时大电流输出的场合。同时，UT110N03具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达150℃，并配备有高效的TO-252封装，该封装具有较大的金属焊盘，便于通过PCB铜箔进行散热，增强了器件的长期运行可靠性。
　　在开关性能方面，UT110N03表现出较快的开关速度，输入电容和输出电容较小，配合较低的栅极电荷（Qg），使得器件在高频开关应用中（如DC-DC变换器、开关电源）具有优异的动态响应能力，减少了开关过程中的能量损耗。此外，其反向恢复时间较短，有助于降低与体二极管相关的损耗，尤其是在同步整流拓扑中表现突出。综合来看，UT110N03在导通损耗、开关速度、热管理和驱动兼容性之间实现了良好平衡，是一款适用于中高端功率应用的高性能N沟道MOSFET。

UT110N03广泛应用于各类中低电压、大电流的电力电子系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是同步整流降压（Buck）转换器，其中该器件作为主开关或同步整流管使用，利用其低导通电阻和高效率特性来提升电源转换效率。在DC-DC电源模块中，UT110N03可用于隔离或非隔离拓扑结构，支持从12V或24V母线电压降至核心电压（如1.8V、3.3V或5V）的高效转换，广泛服务于通信设备、嵌入式系统和工业控制电源。
　　在电池供电系统中，如电动自行车、便携式储能设备、无人机和电动工具中，UT110N03常被用作电机驱动H桥电路中的功率开关元件，其高电流承载能力和快速响应特性能够满足电机频繁启停和调速的需求。同时，该器件也适用于电池保护板（BMS）中的充放电控制MOSFET，实现对电池组的安全管理和高效能量传输。
　　此外，UT110N03还可用于逆变器、UPS不间断电源、LED恒流驱动电源以及汽车电子辅助电源系统等。在这些应用中，其高可靠性、优良的热性能和紧凑的封装形式使其成为设计师在空间受限但性能要求较高的场景下的理想选择。由于其TO-252封装易于自动化贴装和回流焊，因此也适合大规模生产制造，进一步提升了其在消费类和工业类电子产品中的普及率。

AP110N03P
　　SI110N03
　　IRL110N03