时间：2025/8/28 16:19:50
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GW6BMJ40HED是一款由GlobalFoundries生产的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化等领域。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和高密度芯片设计，能够在高频率下提供优异的导通性能和开关效率。GW6BMJ40HED属于N沟道增强型MOSFET，具备高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特点，适用于多种高要求的功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大漏极电流(Id)：60A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：12.5mΩ（最大值，在Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：72nC（典型值）
最大功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
漏极-源极击穿电压(BR)Vds：40V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
阈值电压(Vgs(th))：2.0V至4.0V
GW6BMJ40HED MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，使其在导通电阻和开关损耗之间取得了良好的平衡。其低导通电阻（Rds(on)）仅为12.5mΩ，这在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面可达60A，适合高功率密度的设计需求。GW6BMJ40HED还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，其最大工作温度可达175℃，适用于恶劣的工作环境。该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），这种表面贴装封装不仅便于散热，也提高了PCB布局的灵活性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，便于与不同类型的驱动电路兼容。由于其优异的性能，GW6BMJ40HED常用于高性能电源转换系统，如同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制应用。
GW6BMJ40HED广泛应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子系统中。典型的应用领域包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制设备以及高功率LED照明系统。在电源管理系统中，该器件可用于高效能的电源开关，提高系统的整体能效；在电机控制应用中，它可以实现精确的电流控制和快速的开关响应；在电池管理系统中，该MOSFET可用于高效率的充放电控制，延长电池寿命并提高系统安全性。
IXFH60N40T1, IRFB4110, FDP60N40Z, FDS4410A, STP60NF40Z
