时间：2025/6/21 19:51:21
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UQCSVA5R6CAT2A500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计。该芯片主要用于高效率、高功率密度的应用场景，能够提供卓越的开关性能和低导通损耗。其封装形式紧凑，适合空间受限的设计环境，同时具备良好的散热性能。
型号：UQCSVA5R6CAT2A500
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：5.6mΩ
ID（连续漏极电流）：90A
栅极电荷：125nC
总功耗：380W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-247-3
UQCSVA5R6CAT2A500 具有出色的电气特性和可靠性。
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，确保在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高额定电压 VDS，适用于高压环境下的切换和稳压功能。
3. 优化的栅极电荷设计，可显著降低开关损耗，提高整体系统效率。
4. 快速开关能力，支持高频操作，适用于现代高效电源转换器。
5. 良好的热稳定性，在极端温度条件下也能保持稳定的性能。
6. 封装牢固耐用，适合各种工业和汽车应用场景。
这款功率 MOSFET 被广泛应用于多个领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的牵引逆变器和车载充电器。
3. 工业电机驱动和太阳能逆变器。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高效 LED 驱动器和其他需要高功率处理能力的电子设备。
UQCSVA5R6CAT2B500
IRFP260N
FQA8N65C
STW81N65
