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STW200NF03 发布时间 时间:2025/7/23 5:31:45 查看 阅读:3

STW200NF03是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流和高效率的功率转换应用,例如在电源管理、电机控制、直流-直流转换器和逆变器中。STW200NF03采用了先进的沟槽式MOSFET技术,以实现低导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能。这款MOSFET的封装形式为TO-247,便于在高功率应用中进行散热管理。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):30V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):110A
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  导通电阻(RDS(on)):最大值3.2mΩ(在VGS=10V时)
  封装类型:TO-247

特性

STW200NF03的主要特性之一是其非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在高电流应用中,低RDS(on)意味着更少的热量产生,从而提高了器件的可靠性和寿命。此外,该MOSFET具有较高的电流承载能力,能够在极端条件下保持稳定运行。
  另一个显著的特性是其优异的热管理性能。TO-247封装具有良好的热传导能力,能够有效地将热量从芯片传导到外部散热器。这使得STW200NF03适用于高功率密度设计,确保在高负载条件下仍能维持较低的温度升幅。
  STW200NF03还具备出色的开关性能,包括快速的开关速度和低门极电荷(Qg)。这些特性使得该器件在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗,并提高了整体系统的响应速度。此外,该MOSFET具有较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下提供更强的保护,增强系统的稳定性和耐用性。
  从设计角度来看,STW200NF03非常适合用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车应用。其高耐用性和热稳定性使其成为电机控制、电源转换和负载开关等关键系统的理想选择。

应用

STW200NF03广泛应用于多个领域,包括工业电源、直流电机控制、电池管理系统、逆变器和电动车辆(EV)充电系统等。在工业自动化系统中,该MOSFET可用于高效率的直流-直流转换器和不间断电源(UPS)系统,以提供稳定的电源输出。此外,STW200NF03也适用于汽车应用,如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器和能量回收系统,其中需要高电流开关能力和高可靠性。在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和储能系统,STW200NF03可以用于功率调节和能量转换,确保系统在高效率下运行。

替代型号

IRF1405, IPW90R030C3, STW200N3LV3, FDP140N30

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STW200NF03参数

  • 标准包装600
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs280nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds10000pF @ 25V
  • 功率 - 最大350W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件