时间：2025/8/6 3:10:37
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IXYH50N65C3H1是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能功率MOSFET器件，属于CoolMOS?系列。该系列产品采用先进的超结（Super Junction）技术，提供了卓越的导通和开关性能，适用于高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、LED照明、光伏逆变器以及电机控制等。IXYH50N65C3H1具有650V的漏源电压（VDS）和50A的连续漏极电流（ID），能够承受较高的工作电压和大电流负载，同时具备较低的导通损耗和开关损耗。
类型：功率MOSFET
工艺技术：CoolMOS? 超结技术
漏源电压 VDS：650 V
连续漏极电流 ID @ TC=100°C：50 A
栅极阈值电压 VGS(th) @ 25°C：2.7 V ~ 4.5 V
导通电阻 RDS(on) @ ID=25A, VGS=10V：0.155 Ω
最大功耗 PD：300 W
工作温度范围 TJ：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
引脚数：3
安装方式：通孔（Through Hole）
IXYH50N65C3H1的主要特性包括先进的超结（SJ）结构，该结构显著降低了导通电阻（RDS(on)）并提高了器件的雪崩能量承受能力，从而提高了系统的可靠性和效率。此外，该MOSFET具备极低的开关损耗，使得在高频开关应用中能够实现更高的能效。其高雪崩耐量和短路耐受能力使其非常适合用于高要求的工业和汽车电子应用。该器件的栅极氧化层设计优化，提供了稳定的栅极控制特性和良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
在热管理方面，IXYH50N65C3H1采用高效的散热设计，封装材料具备良好的热导性能，能够在高负载条件下保持较低的结温。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ +150°C）也增强了其在恶劣环境下的适应能力。该MOSFET还具备较强的抗dv/dt能力，有助于减少误触发的风险，提高系统稳定性。
IXYH50N65C3H1广泛应用于各类高效率电源系统中，如高密度开关电源（SMPS）、服务器电源、光伏逆变器、LED驱动电源、电机驱动以及工业自动化控制系统。其优异的性能也使其成为电动汽车（EV）充电设备、车载电源转换器和储能系统中的理想选择。在这些应用中，该MOSFET可以有效降低能量损耗，提高系统整体效率，并支持高频工作模式，从而减小外围元件的体积，提高系统功率密度。
IXFH50N65X2, IPP50R650CFDAKSA1, IPW60R045CFD, STF50N65DM2
