时间：2025/8/1 16:25:29
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CS7N60A8R-G 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高功率场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率、高频率的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：7A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-252等
CS7N60A8R-G具备优异的电气性能和热稳定性，采用先进的沟槽式工艺，有效降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
该器件的高耐压能力（600V）使其适用于各种中高功率电源应用，例如AC-DC适配器、LED驱动电源、充电器和工业电源系统。
此外，CS7N60A8R-G具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
其封装形式（如TO-220和TO-252）具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度和紧凑设计的应用场景。
由于其优异的开关特性，该MOSFET在高频开关电源中表现出色，能够有效降低开关损耗并提升系统整体能效。
CS7N60A8R-G主要用于各种电源管理系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动电源、电池充电器、DC-DC转换器、电机控制模块、工业自动化设备和家用电器中的功率开关电路。在这些应用中，CS7N60A8R-G能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
TK11A60D, FQP7N60C, STF7NM60N, IRF7N60C, FQA7N60C
