时间：2025/4/29 16:07:17
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IRF7458TR 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen II 技术。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载点转换、同步整流、电机控制以及电池供电设备等应用。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，能够有效提高散热性能。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：49A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷：75nC
输入电容：2560pF
输出电容：1250pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
IRF7458TR 使用先进的 TrenchFET 技术，使其具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，得益于较小的栅极电荷和快速的开关时间。
3. 较高的电流承载能力，可以满足大功率应用的需求。
4. 采用 D2PAK 封装，提供出色的热性能和电气性能。
5. 工作温度范围宽广，适用于各种严苛环境下的应用。
这些特性使得 IRF7458TR 成为许多高效率、高密度电源解决方案的理想选择。
IRF7458TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器，尤其是需要高效能和高电流处理能力的设计。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动与控制。
4. 便携式电子设备的电池管理系统。
5. 各种工业自动化和汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
IRF7458PbF, IRF7458TRPBF
