时间：2025/8/14 2:05:10
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LMBR3200FT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装肖特基势垒整流器，专为高效能电源应用而设计。该器件具有低正向电压降和快速开关特性，非常适合用于高频率的开关电源、DC/DC转换器以及电池充电器等应用。LMBR3200FT1G采用紧凑的SMB（DO-214AA）封装，有助于节省电路板空间，并提供良好的热性能。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：200 V
最大平均正向电流（IF(AV)）：3.0 A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：75 A
正向电压降（VF）：0.55 V @ 3.0 A
反向漏电流（IR）：5.0 μA @ 200 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
LMBR3200FT1G具有多项优异的电气和物理特性，确保其在各种电源应用中的可靠性和性能。
首先，该器件的最大重复峰值反向电压（VRRM）为200 V，使其能够在较高的电压环境下稳定工作。最大平均正向电流（IF(AV)）为3.0 A，能够承受较大的电流负载，适合中高功率的整流应用。
其次，LMBR3200FT1G的正向电压降（VF）仅为0.55 V，在3.0 A电流下，这大大降低了导通损耗，提高了整体的能效。同时，其反向漏电流（IR）非常低，典型值为5.0 μA，在200 V反向电压下，有助于减少不必要的能量损失和发热。
此外，该器件具备较强的浪涌电流承受能力，峰值正向浪涌电流（IFSM）可达75 A，能够在短时间内承受较大的瞬态电流，从而提高了器件的可靠性和稳定性。
LMBR3200FT1G的工作温度范围为-55°C 至 +150°C，存储温度范围也为-55°C 至 +150°C，使其能够在广泛的温度环境下正常工作，适用于各种工业和汽车应用。
该整流器采用SMB（DO-214AA）封装，这种封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且具有良好的散热性能，有助于提高器件的热稳定性。
LMBR3200FT1G广泛应用于多种电源相关领域。在开关电源（SMPS）中，它被用作输出整流器，将高频变压器输出的交流电压转换为直流电压，同时由于其低正向压降特性，有助于提高电源效率。
在DC/DC转换器中，LMBR3200FT1G可用作同步整流器或自由轮二极管，提升转换效率并减少发热。在电池充电器应用中，它可以用于防止电流倒流，保护充电电路的安全。
此外，该器件还适用于逆变器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电源以及各种工业控制和自动化设备中的整流和保护电路。由于其良好的温度特性和可靠性，LMBR3200FT1G也适用于汽车电子系统中的电源管理模块。
MBRS3200T3G, SB3200, MBR3200
