时间：2025/10/6 21:16:09
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UPM1K390MPD6是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装型P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率电源管理应用设计，适用于需要低导通电阻和小封装尺寸的便携式电子设备。其SOT-23（SC-70）封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品。该MOSFET具有增强型工作模式，栅极电压驱动相对较低，支持逻辑电平控制，因此可以直接由微控制器或其他数字IC驱动。由于采用了先进的制造工艺，UPM1K390MPD6在保持高性能的同时还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适合工业级和商业级应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并且无卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
型号：UPM1K390MPD6
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：P沟道MOSFET
封装类型：SOT-23 (SC-70)
最大漏源电压（VDS）：-20 V
最大栅源电压（VGS）：±12 V
连续漏极电流（ID）：-500 mA
脉冲漏极电流（IDM）：-1.4 A
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：≤ 390 mΩ
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：≤ 480 mΩ
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -1.8V：≤ 650 mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.45 V 至 -1.0 V
输入电容（Ciss）：约 125 pF
输出电容（Coss）：约 65 pF
反向传输电容（Crss）：约 15 pF
栅极电荷（Qg）：约 2.3 nC
功耗（PD）：200 mW
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
UPM1K390MPD6采用Vishay成熟的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构和掺杂分布显著降低了导通电阻，同时提高了单位面积下的电流承载能力。该器件的RDS(on)在低栅极驱动电压下表现优异，尤其在-1.8V至-4.5V范围内具有稳定的导通性能，这使得它非常适合使用电池供电系统的低压逻辑控制场合。其低阈值电压特性允许在3.3V或更低系统电压下实现快速开关动作，减少了开关损耗并提升了整体能效。
该MOSFET具备出色的开关速度，得益于较小的栅极电荷和低寄生电容，能够实现高频开关操作，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源路径管理等应用。其SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，在适当布局条件下可有效传导热量。器件内部结构经过优化，具有较强的抗静电能力（ESD），典型HBM模型可达±2000V，增强了在实际装配和运行中的可靠性。
此外，UPM1K390MPD6在制造过程中严格遵循AEC-Q101认证的相关应力测试标准，虽然不是车规级产品，但其质量和稳定性足以应对大多数严苛环境。该器件还具备良好的热关断特性，在过温情况下能自动限制电流，防止因局部过热导致永久性损坏。所有材料均符合绿色环保要求，不含铅、镉、六价铬等有害物质，支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线流程。这些综合特性使UPM1K390MPD6成为中小型功率开关应用中的理想选择。
UPM1K390MPD6广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理和信号切换功能。常见用途包括锂电池供电系统的负载开关，用于控制外设电源的通断以降低待机功耗；在DC-DC降压或升压电路中作为同步整流开关或高端开关元件，提高转换效率；也可用于USB端口的电源开关，实现过流保护与热插拔控制。在微控制器I/O扩展应用中，该器件可用于电平转换或驱动LED指示灯、蜂鸣器等小型负载。
此外，该MOSFET适用于各种电池管理系统（BMS）中的充放电控制路径，特别是在单节锂离子或锂聚合物电池设备中，作为充电通路的阻断开关使用。其低静态电流和快速响应能力有助于延长设备续航时间。在热敏打印头、小型电机驱动以及传感器模块的电源隔离电路中，UPM1K390MPD6也能发挥出色的性能。由于其封装小巧且易于布线，特别适合高密度印刷电路板设计，如智能手表、无线耳机、医疗监测设备等对体积敏感的产品。工业自动化设备中的信号路由和多路复用系统也常采用此类P沟道MOSFET进行模拟开关配置。总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的P沟道开关解决方案的场景，UPM1K390MPD6都是一个极具竞争力的选择。
Si2301DS
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