型号：FS5UM-9
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　连续漏极电流（Id）：5.0 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20 A
　　最大漏源导通电阻（Rds(on)）：1.0 Ω（@ Vgs = 10 V）
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5 V
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C ~ +150 °C
　　输入电容（Ciss）：800 pF（@ Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：160 pF（@ Vds = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　封装形式：TO-220F

FS5UM-9采用安森美先进的超级结MOSFET工艺，实现了在900V高耐压下极低的导通电阻，这使其在高效率电源设计中具有显著优势。其核心特性之一是优化的电荷平衡结构，通过精确控制P柱和N柱的掺杂分布，大幅降低漂移区电阻，从而减小Rds(on)，提升器件的导通性能。这种结构不仅提高了能效，还减少了热积累，有助于简化散热设计并缩小整体电源体积。该器件具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，同时可减少开关延迟和交叉导通风险，特别适合用于高频开关电源应用。此外，FS5UM-9的输出电容（Coss）经过优化，降低了关断过程中的能量损耗，进一步提升了轻载和中等负载条件下的转换效率。
　　另一个关键特性是其出色的动态性能与稳健性。FS5UM-9在快速开关过程中表现出良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，有效抑制了因电压突变引起的误触发或寄生导通现象。其内部结构设计增强了抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时承受一定的能量冲击，提高系统在异常工况下的生存能力。TO-220F封装提供了良好的电气隔离性能，适用于需要增强绝缘等级的交流输入电源设备，符合IEC/EN 60950等安全标准的要求。此外，该器件在整个工作温度范围内具有稳定的阈值电压和导通特性，确保系统在冷启动、高温运行等不同工况下均能可靠工作。综合来看，FS5UM-9在高耐压、低损耗、高可靠性之间取得了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。

FS5UM-9主要应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）中，尤其是在需要高电压等级和高转换效率的场合。典型应用包括工业用AC-DC适配器、开放式框架电源、服务器和电信设备的辅助电源单元。由于其900V的额定电压，该器件非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的离线式电源设计，在高压线路条件下仍能提供足够的电压裕量，确保系统长期稳定运行。此外，它也被广泛用于LED恒流驱动电源，特别是在高功率户外照明、商业照明系统中，能够支持宽调光范围和高PF值设计。
　　在家用电器领域，FS5UM-9可用于空调、洗衣机、冰箱等变频控制器中的PFC（功率因数校正）电路或主开关管，帮助提升整机能效等级并满足严格的能效法规要求。在消费类电源产品中，如大功率充电器、笔记本电脑适配器、游戏主机电源等，该器件凭借其低损耗和高可靠性，有助于实现小型化和高密度设计。此外，该MOSFET还可用于DC-DC变换器中的高压侧开关，以及太阳能微逆变器、UPS不间断电源等新能源和备用电源系统中。其优异的热性能和坚固的封装结构使其在高温、高湿或振动环境中依然保持稳定工作，适用于工业级甚至部分严苛环境下的电力电子装置。