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HY62KF08401C-DS55I 发布时间 时间:2025/9/2 3:39:30 查看 阅读:8

HY62KF08401C-DS55I 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特性,适用于需要高性能数据存储的应用场景。该芯片采用标准的并行接口,支持异步操作,适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。

参数

容量:8 Mbit(512K x 16)
  组织结构:512K地址 x 16位数据
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  工作模式:异步
  输入/输出电平:CMOS兼容
  封装引脚数:54-pin

特性

HY62KF08401C-DS55I 以其卓越的性能和稳定性在众多SRAM产品中脱颖而出。
  首先,该芯片的访问时间仅为55纳秒,使得它适用于需要高速数据存取的系统,例如高速缓存或实时数据缓冲器。其异步接口设计允许与多种主控设备兼容,包括微处理器、DSP和FPGA等。
  其次,该SRAM采用CMOS技术制造,具有低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,非常适合需要节能设计的设备。此外,其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),增强了对不同电源系统的适应能力。
  该芯片采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于集成在紧凑型PCB布局中。同时,其支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在严苛环境下稳定工作,广泛适用于工业自动化、通信设备和车载电子系统。
  内部设计上,该SRAM具备自动数据保持功能,在待机状态下能够维持存储数据不变,进一步提升系统稳定性。

应用

HY62KF08401C-DS55I 主要用于需要高速、低功耗和高稳定性的存储应用场合。
  该芯片常见于嵌入式控制系统中,例如工业计算机、可编程逻辑控制器(PLC)和智能仪表,作为高速缓存或临时数据存储器使用。由于其异步接口兼容性强,也常用于与FPGA或ASIC配合进行高速数据缓冲。
  此外,该SRAM适用于通信设备中的数据缓冲区,如路由器、交换机和无线基站模块。其高稳定性和宽温工作特性也使其适用于车载电子系统,如车载导航、ADAS系统和车载监控设备。
  在测试仪器和医疗设备中,HY62KF08401C-DS55I 可作为高速数据采集和临时存储器使用,确保数据的快速处理与稳定性。

替代型号

CY7C1041CV33-55BZC, IDT71V416S08PFG, IS61LV25616-55BLL

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