类型：GaN HEMT
　　最大漏极电压（Vds）：50V
　　最大栅极电压（Vgs）：-4V 至 +2V
　　最大漏极电流（Id）：15A
　　输出功率（Pout）：典型值 125W（在2.4GHz）
　　功率附加效率（PAE）：典型值 70%
　　增益：典型值 14dB（在2.4GHz）
　　工作频率范围：DC 至 6GHz
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　热阻（Rth）：典型值 1.2°C/W

GH5CD05B3D 的核心优势在于其基于 GaN 材料的高性能特性，包括高电子迁移率、高击穿电压和出色的热稳定性。
　　首先，该器件的高电子迁移率使其在高频应用中表现出色，支持从 DC 到 6GHz 的广泛频率范围，非常适合用于射频功率放大器设计。
　　其次，GH5CD05B3D 的最大漏极电压可达 50V，并且具备较高的漏极电流能力（15A），因此能够在高功率条件下稳定运行，输出功率高达 125W，在 2.4GHz 下的功率附加效率（PAE）可达 70%，极大地提升了能源利用效率。　　其采用的陶瓷金属封装不仅提供了良好的散热性能（热阻低至 1.2°C/W），还增强了器件在高温和高功率环境下的可靠性和耐用性。
　　另外，GH5CD05B3D 的栅极电压范围为 -4V 至 +2V，这种宽泛的栅极控制范围使得器件在不同偏置条件下都能保持稳定的工作状态，适用于多种偏置和放大模式（如 A 类、AB 类等）。

GH5CD05B3D 主要应用于高功率射频和微波系统中，包括但不限于以下领域：
　　无线通信基础设施：如 4G/5G 基站、Wi-Fi 6 路由器和毫米波通信设备中的功率放大器模块。
　　雷达与电子战系统：用于高功率脉冲放大和信号发射模块，满足军事和航空领域的高性能需求。
　　工业射频设备：如射频加热、等离子体发生器、工业测试设备等需要高功率、高效率功率放大的场景。
　　广播与卫星通信：作为高功率放大器用于卫星发射机、地面广播设备等。
　　科研与测试仪器：用于开发和测试高功率射频电路、放大器模块的原型设计。

Cree CGH40010F, NXP MRFE6VP61K25H, Qorvo T1G6000528-QPM