类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：2x 70A（双芯片并联配置）
　　非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：2x 320A（单脉冲，半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值1.7V @ 70A，最大值1.9V @ 70A，Tc=25°C
　　反向漏电流（IR）：最大值10μA @ 650V，Tc=25°C；最大值2mA @ 650V，Tc=150°C
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值0C（无少数载流子存储效应）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：典型值0.35°C/W（每个芯片）
　　封装形式：TO-247-3L（三端子）
　　引脚数：3
　　极性：双共阴极（Dual Common-Cathode）
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）
　　散热路径：底部金属焊盘至外壳导热

UPT2W270MHD的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性，使其在高频、高温和高效率电力转换系统中表现出远超传统硅基PIN二极管的性能。首先，由于碳化硅具有高达3.2eV的宽禁带能量，该器件在高温环境下仍能保持极低的反向漏电流，即便在150°C结温下漏电流也仅达到2mA水平，这显著提升了系统在恶劣工况下的可靠性。其次，该二极管没有P-N结中的少数载流子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电荷（Qrr），避免了传统硅二极管常见的电流反向流动现象，从而消除了由Qrr引起的开关损耗和电压振铃问题。这一特性在高频率硬开关拓扑如LLC谐振变换器或图腾柱PFC电路中尤为重要，能够大幅提高整体系统效率并降低对EMI滤波器的要求。
　　另一个关键特性是其双芯片并联结构设计，即在一个TO-247封装内集成了两个独立的650V/70A碳化硅肖特基芯片，形成共阴极连接方式。这种设计不仅提高了电流承载能力，还优化了热分布和电流均衡性，有助于提升功率密度。同时，三端子封装（Gate端未连接）允许将栅极驱动回路与功率回路分离，在高速开关应用中有效抑制dV/dt感应导通风险，增强系统稳定性。此外，UPT2W270MHD具备出色的抗浪涌能力，单次非重复浪涌电流可达每芯片320A，适用于承受瞬态过载的应用场景，如雷击保护或电网波动条件下的运行。其低正向压降（典型1.7V@70A）进一步减少了导通损耗，尤其是在大电流持续导通模式下表现优异。综合来看，UPT2W270MHD凭借其材料优势、结构创新和电气性能，成为下一代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

UPT2W270MHD广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。一个主要应用领域是服务器和通信电源中的图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）电路，其中该二极管作为升压续流元件使用，得益于其零反向恢复特性，可极大降低开关损耗并提升PF值，满足80 PLUS钛金等级的能效要求。在太阳能光伏逆变器中，UPT2W270MHD可用于直流侧防逆流二极管或MPPT电路中的整流单元，其高温稳定性和低损耗特性有助于提升发电效率并延长设备寿命。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件常被用于LLC谐振变换器的同步整流或辅助电源整流部分，以实现高频化和小型化设计目标。
　　此外，该二极管也适用于工业电机驱动器中的续流保护电路，用于吸收感性负载断开时产生的反电动势能量，防止主开关器件受损。在不间断电源（UPS）系统中，UPT2W270MHD可用于逆变级的输出整流或旁路切换模块，确保在市电异常时平滑过渡并维持输出电压稳定。在高功率LED照明电源和医疗电源等对EMI敏感的应用中，其软恢复特性和低噪声开关行为有助于简化滤波设计并满足严格的电磁兼容标准。由于其可在-55°C至+175°C宽温范围内稳定工作，该器件也适合部署于户外、车载或工业恶劣环境中。总之，凡是需要高效率、高可靠性及高温运行能力的功率整流场合，UPT2W270MHD都是极具竞争力的选择。

UJ3D270KHD
　　UF3C-2M7S65B7
　　SCT310BR-39