类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN1006-8（3mm x 3mm）
　　安装类型：表面贴装

RS3DB-TR 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其高栅极电压容限（±20V）增强了器件在高噪声环境下的稳定性，防止因电压尖峰引起的误触发或损坏。
　　该 MOSFET 的小型 DFN1006-8 封装（3mm x 3mm）使其适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。
　　RS3DB-TR 具有优异的开关特性，能够支持高频开关操作，适用于高效率 DC-DC 转换器、同步整流器等应用场景。
　　此外，该器件符合 RoHS 标准，支持绿色环保设计，并具有良好的可靠性和长寿命，适合工业级和汽车电子应用领域。

RS3DB-TR 广泛应用于各类电源管理系统和功率转换设备中，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路、笔记本电脑和服务器电源管理模块等。
　　由于其高集成度和优异性能，也常用于通信设备、消费类电子产品、便携式电源管理系统以及工业自动化设备中。
　　在需要高效率和小尺寸设计的场合，如 USB PD 快充适配器、无线充电设备、LED 驱动器等，RS3DB-TR 也能提供出色的性能支持。

SiSS14DN-T1-GE3, BSS138K, FDS6675CZ