时间：2025/6/14 12:13:20
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KTD105ECE-TR 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 技术的功率场效应晶体管。该器件采用 TO-252 封装，适用于多种高效能开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
其低导通电阻和快速开关性能使其成为高效率、低损耗电路设计的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-252
KTD105ECE-TR 具有较低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下保持较小的功耗损失。
此外，其具备优秀的热稳定性，即使在较高环境温度下也能维持稳定的电气性能。
快速的开关速度减少了开关损耗，并提高了整体系统效率。
内置反向二极管功能增强了其在特定应用中的兼容性和保护能力。
KTD105ECE-TR 的紧凑封装形式简化了 PCB 设计流程并节省空间。
KTD105ECE-TR 广泛应用于消费类电子、工业控制以及汽车电子领域。
典型应用场景包括但不限于：
1. 开关电源 (Switching Power Supplies)
2. 电机驱动与控制 (Motor Drivers & Controls)
3. 负载开关 (Load Switches)
4. 电池管理模块 (Battery Management Systems)
5. 过流及短路保护电路 (Overcurrent and Short Circuit Protection Circuits)
KTD105ECG-TR, IRFZ44N, FQP30N06L
