类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：300V
　　最大漏极电流（Id）：76A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值约28mΩ
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXGQ76N30TC 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和高耐用性，可在高温度环境下稳定工作。
　　该MOSFET还具备优异的雪崩能量承受能力，能够在高能量瞬态条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。其快速的开关速度减少了开关损耗，使得该器件适用于高频开关电源和高效率逆变器设计。
　　TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持较低的温度上升。此外，该器件的引脚排列设计便于安装和焊接，适用于多种工业级应用。

IXGQ76N30TC 被广泛应用于高功率电源系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、工业电机驱动器、变频器、逆变器以及不间断电源（UPS）系统。由于其优异的导通特性和高耐压能力，该器件也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
　　在电机控制应用中，IXGQ76N30TC 可用于高性能H桥电路，提供高效的PWM控制。在UPS系统中，该MOSFET可用于DC-AC逆变电路，实现稳定的交流输出。同时，该器件还可用于大功率LED驱动、焊接设备、高频感应加热等高功率电子系统。

IXGH76N30C3, IXFN76N30P, IXFK76N30T