时间：2025/9/14 16:22:31
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PHD38N02LT,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种高功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，使其在高电流应用中表现出色。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：38A
最大漏源电压（VDS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：8.8mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±12V
功耗（PD）：60W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerSO-10
PHD38N02LT,118的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高整体系统效率。这种MOSFET的RDS(on)在VGS为10V时仅为8.8mΩ，使其非常适合用于高电流负载应用，如电源管理和DC-DC转换器。
该器件还具备良好的热性能，PowerSO-10封装设计允许高效的热量散发，确保在高功率运行时的稳定性。此外，其高达38A的最大漏极电流能力使其适用于需要大电流驱动的场景，例如电机控制、电池管理系统和负载开关。
PHD38N02LT,118的工作温度范围从-55°C到+175°C，适应各种恶劣的工作环境，并具备良好的长期可靠性。该MOSFET还内置了栅极氧化层保护，防止因过高的栅极电压而导致损坏，同时具备较高的抗静电能力。
PHD38N02LT,118广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、电池充电和管理系统、电机控制电路、负载开关以及各种高电流开关应用。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高效能、紧凑型电源系统，如笔记本电脑电源、服务器电源和工业自动化设备。此外，它也可以用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池管理系统中，以提供可靠的功率控制解决方案。
IRF3808, Si4410DY, FDS4410A, PHD38N02T
