时间：2025/6/25 20:13:15
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HMK316B7473MLHT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺。该器件专为高效率、低功耗的应用场景设计，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。
该芯片具有卓越的导通电阻特性以及快速开关能力，能够在高频工作条件下保持较低的功耗。此外，其封装形式经过优化，能够有效提升散热性能，适用于对可靠性要求较高的工业级和消费级电子产品。
型号：HMK316B7473MLHT
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：75V
连续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
栅极电荷(Qg)：95nC
功耗(Ptot)：240W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装：TO-247-3
HMK316B7473MLHT 使用了最新的沟槽式MOSFET技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够减少传导损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 良好的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 内置防静电保护功能，增强器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
HMK316B7473MLHT 的综合性能使其成为需要高效能和可靠性的应用的理想选择。
这款功率MOSFET适合多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，例如AC-DC适配器和电源模块。
2. DC-DC转换器中的同步整流电路。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 通信电源和不间断电源(UPS)系统。
6. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关产品。
由于其出色的电气特性和稳定性，HMK316B7473MLHT 在上述领域中表现出色。
HMK316B7473MLH, IRFB4110TRPBF, FDP5800
