W9812G2IB 是由 Winbond(华邦电子)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于异步DRAM类别。该芯片具有128K x 16位的存储容量,采用异步工作模式,适用于需要中等存储容量和高性能的嵌入式系统和工业控制设备。
类型:DRAM
容量:128K x 16位
电压:3.3V 或 5V 可选
访问时间:55ns、70ns、85ns 可选
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
接口类型:异步
数据宽度:16位
W9812G2IB 是一款高性能的异步DRAM芯片,具有良好的稳定性和广泛的应用兼容性。其128K x 16位的存储结构使其适用于需要中等容量存储的场合,如图形缓存、数据缓冲和嵌入式系统的主存扩展。
这款DRAM芯片支持3.3V和5V两种电压模式,适应不同系统的需求,同时提供了55ns、70ns 和 85ns 多种访问时间选项,允许用户根据性能需求和功耗限制进行选择。
封装形式为TSOP,具有较薄的外形,适用于空间受限的设计。其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在较为恶劣的工业环境中稳定运行。
由于其异步操作特性,W9812G2IB 不依赖系统时钟,数据读写由控制信号直接触发,适用于多种非同步控制电路设计。
W9812G2IB 常用于需要中等容量RAM的嵌入式系统、工业控制器、通信设备、视频采集与显示模块、手持设备以及需要缓冲存储的场合。由于其异步接口特性,特别适合用于传统MCU系统或不需要高速同步接口的应用场景。
IS61LV12816-55BLL、CY62148EVLL、A611-68128A、MT54V256A2B4-5B4:B4-12