类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：800 V
　　最大漏极电流（ID）：2 A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.0 Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1 V至5 V
　　最大功耗（PD）：30 W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、DIP等

FCP2N80具有多项关键特性，使其适用于多种高电压和中等功率应用。首先，该MOSFET具备800V的高漏极击穿电压，能够胜任高压开关环境，例如离线式开关电源和AC-DC转换器。其次，其导通电阻RDS(on)在最大条件下仅为2.0Ω，有助于降低导通损耗，提高整体能效。此外，该器件具有2A的最大漏极电流能力，能够在中等功率负载下稳定工作。
　　FCP2N80的栅极阈值电压范围为1V至5V，使其适用于多种驱动电路，包括常见的PWM控制器和微控制器输出。该MOSFET具备良好的热稳定性，采用TO-220封装形式，有助于有效散热，延长器件寿命。
　　在开关特性方面，FCP2N80具备较快的开关速度，降低了开关损耗，并支持较高的工作频率，适用于需要高频操作的DC-DC转换器和逆变器应用。此外，该器件具备较高的耐用性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣工作环境。

FCP2N80适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、适配器、电池充电器、电机控制电路、LED照明驱动器、家用电器控制电路以及工业自动化设备中的负载开关等。由于其高耐压特性，该MOSFET常用于需要直接接入交流电源的离线式电源转换系统中，如AC-DC电源模块和电源管理单元。
　　在消费类电子产品中，FCP2N80可用于电源待机控制、电源转换效率优化以及负载保护电路。在工业控制领域，该器件可用于驱动继电器、电磁阀和小型电机等感性负载。此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及储能系统的功率控制电路中。

FQP2N80, FDPF2N80, STP2N80, IRF820