UPA1C391MPD是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装(通常为SOP-8或类似封装),适用于空间受限的高密度电子设备设计。UPA1C391MPD专为高效能、低功耗应用而设计,具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,能够有效减少功率损耗并提升系统整体效率。该MOSFET适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的电源控制模块。其高可靠性与良好的热稳定性使其在工业控制、消费电子和通信设备中均有广泛应用。
该器件的工作电压范围适中,栅极阈值电压较低,支持逻辑电平驱动,可直接由微控制器或其他数字信号源进行控制,简化了驱动电路设计。此外,UPA1C391MPD符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。在实际应用中,需注意适当的PCB布局和散热设计以确保长期稳定运行,尤其是在高电流负载条件下。
型号:UPA1C391MPD
类型:N沟道MOSFET
封装形式:SOP-8
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse):21.6A
导通电阻(RDS(on)):27mΩ(VGS=10V)
导通电阻(RDS(on)):33mΩ(VGS=4.5V)
栅极电荷(Qg):10nC(典型值)
输入电容(Ciss):400pF(典型值)
开启延迟时间(td_on):10ns
关断延迟时间(td_off):20ns
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
UPA1C391MPD具有优异的电气性能和热稳定性,其核心优势在于低导通电阻与高速开关能力的结合,这使得它在中等功率开关应用中表现出色。该MOSFET在VGS=10V时RDS(on)仅为27mΩ,在VGS=4.5V时也仅为33mΩ,这意味着即使在较低的驱动电压下仍能保持较低的导通损耗,特别适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。这种低RDS(on)特性显著降低了传导过程中的功率损耗,有助于提高电源转换效率并减少发热问题,从而延长终端设备的使用寿命。
器件的栅极电荷Qg仅为10nC,输入电容Ciss为400pF,这些参数表明其具有较快的开关速度和较低的驱动功耗,适用于高频开关电源设计。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少,有利于降低控制器的负担并提升整体系统的能效。同时,较短的开启和关断延迟时间(分别为10ns和20ns)进一步增强了其在高速开关应用中的响应能力,减少了开关过渡期间的能量损耗。
UPA1C391MPD采用SOP-8封装,不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,通过裸焊盘设计可将热量有效传导至PCB地层,实现自然散热。该封装形式支持自动化贴片生产,提高了制造效率和产品一致性。此外,器件具备过温保护能力,能够在高温环境下自动限制电流以防止损坏,提升了系统安全性。
该MOSFET的雪崩耐量经过优化设计,具备一定的抗瞬态过压能力,可在突发性电压冲击下维持正常工作,增强了在复杂电磁环境下的可靠性。其-55°C至+150°C的宽结温范围使其适用于各种严苛工作环境,包括工业级和汽车电子应用。综合来看,UPA1C391MPD是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于对效率、尺寸和稳定性有较高要求的现代电子系统。
UPA1C391MPD广泛应用于多种电源管理场景,特别是在需要高效、紧凑设计的便携式电子设备中表现突出。常见应用包括锂电池供电的移动设备(如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等)中的负载开关和电源通断控制。在这些设备中,该MOSFET可用于实现电池与负载之间的隔离,支持软启动功能以避免浪涌电流,并在待机模式下切断电源以降低静态功耗。
此外,它也常用于同步整流型DC-DC降压转换器中作为高端或低端开关管,利用其低RDS(on)特性提升转换效率,减少发热。在主板、嵌入式系统和工业控制板上的电压调节模块(VRM)中,UPA1C391MPD可用于多相供电结构中的功率级开关元件,提供稳定的电流输出。
在LED驱动电路中,该器件可用于恒流控制的开关拓扑结构,实现高效的亮度调节。由于其支持逻辑电平驱动,可直接由MCU GPIO引脚控制,因此在智能照明、家电控制和IoT设备中也有广泛应用。
其他应用场景还包括电机驱动中的H桥电路、热插拔电源管理、USB电源开关以及各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制路径。凭借其高可靠性与小型化封装,UPA1C391MPD已成为许多中低功率开关应用的理想选择。
SMP1C391MPD
APM1C391MPD
DMG1C391MPD
FDM1C391MPD