TSP18N50M 时间：2025/12/26 22:47:15 阅读：11

TSP18N50M是一款高电压、大电流的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具备低导通电阻和优异的开关特性，能够在高温环境下稳定运行。TSP18N50M的最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）可达18A，适合在中高功率应用中作为主开关元件使用。其封装形式通常为TO-220或TO-247，具有良好的热传导性能，便于散热设计。该MOSFET的设计注重可靠性与效率，在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。此外，TSP18N50M内部集成有快速体二极管，有助于在感性负载关断时提供反向电流通路，减少电压尖峰和电磁干扰。得益于其高耐压能力和较低的导通损耗，该器件在节能型电源系统中具有显著优势。制造商通常会在数据手册中提供详细的热阻参数、安全工作区（SOA）曲线以及雪崩能量测试结果，帮助工程师进行系统级可靠性评估。

参数

型号：TSP18N50M
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　最大功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1600pF
　　输出电容（Coss）：190pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-247

特性

TSP18N50M具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下仅为0.22Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。该特性尤其适用于高电流应用场景，如AC-DC适配器、光伏逆变器和工业电源等。器件采用优化的晶圆工艺，提升了载流子迁移率，同时有效控制了寄生参数，从而改善了动态开关性能。其输入电容Ciss约为1600pF，输出电容Coss为190pF，使得在高频开关操作下仍能保持较低的驱动损耗和较快的响应速度。
　　另一个关键特性是其高耐压能力，500V的漏源击穿电压使其适用于通用离线式开关电源设计，兼容全球交流电网输入范围（85V~265V AC）。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压冲击，增强了系统的鲁棒性。体二极管的反向恢复时间trr为45ns，属于较快速度级别，有助于减少反向恢复引起的开关损耗和电压振荡，特别有利于连续导通模式（CCM）PFC电路中的表现。
　　在热管理方面，TSP18N50M的热阻（RθJC）典型值较低，结合TO-220或TO-247封装的良好散热结构，可在高功率密度设计中实现有效的热量传导。器件支持宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃），适应严苛的工业环境要求。此外，其栅极阈值电压在3V至5V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，可通过PWM控制器直接驱动，简化了外围电路设计。综合来看，TSP18N50M在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高端功率变换应用的理想选择。

应用

TSP18N50M广泛应用于各类中高功率电力电子设备中，尤其是在需要高效能和高可靠性的电源系统中表现突出。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如电脑电源、服务器电源和LED驱动电源，其中它常被用作主开关管，承担能量转换的核心任务。在DC-DC变换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）及反激（Flyback）拓扑结构中，该MOSFET凭借其低Rds(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。
　　此外，TSP18N50M也适用于光伏逆变器中的直流侧开关单元，用于实现最大功率点跟踪（MPPT）控制和能量馈送功能。在电机驱动领域，无论是小型直流电机还是无刷电机控制系统，该器件均可作为桥式电路中的功率开关，提供稳定的电流切换能力。其高耐压特性还使其可用于高压照明系统，如HID灯镇流器或工业照明设备中。
　　在工业自动化和电源模块中，TSP18N50M常用于有源功率因数校正（PFC）电路，特别是在连续导通模式（CCM）下工作的升压PFC段，能够有效抑制谐波电流，提高电网侧的功率因数。同时，由于其具备较强的抗浪涌能力和良好的热稳定性，也被用于不间断电源（UPS）、通信电源和医疗设备电源等对安全性要求较高的场合。总体而言，TSP18N50M适用于所有需要500V耐压等级和18A左右持续电流能力的功率开关场景。