时间：2025/6/27 2:20:36
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3EZ36D5是一款高性能的MOSFET晶体管，广泛应用于功率转换、开关电源、逆变器以及其他需要高效电能管理的电子设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供出色的性能表现。
这款MOSFET通常用于N沟道增强型场效应管场景，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：218W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
3EZ36D5具有较低的导通电阻（Rds(on)），这使其在大电流应用场景下能够减少功率损耗并提高系统的整体效率。
其高开关速度可以适应高频操作需求，同时内置的热保护功能增强了器件的可靠性。
此外，该芯片的工作温度范围宽广，适合各种严苛环境下的应用。
由于采用了坚固耐用的TO-247封装，它还具备良好的散热性能，进一步提升了长期运行的稳定性。
3EZ36D5适用于多种工业和消费类电子产品，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
2. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
3. 电动工具及电机驱动电路中的关键组件。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
5. 各种类型的DC-DC转换器和AC-DC转换器。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP18N06L
