类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

S8880W 具备优异的导通性能和快速开关能力，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够承受较大的工作电流和较高的工作温度。
　　该MOSFET采用先进的封装技术，确保良好的散热性能，适用于高频开关应用。其栅极驱动要求较低，便于与常见的控制电路（如PWM控制器或微处理器）配合使用。S8880W 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，增强了器件在严苛环境下的可靠性。
　　此外，S8880W 的封装设计紧凑，适合在空间受限的应用中使用，并支持自动贴片工艺，便于大规模生产。

S8880W 常用于各类功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、LED照明驱动电路、工业自动化设备以及电机驱动器等。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻特性，S8880W 特别适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。例如，在电动车或储能系统中，它可以作为主功率开关，用于控制电池的充放电过程；在LED驱动电源中，它可用于构建高效的升压或降压拓扑结构；在工业控制系统中，可用于驱动大功率负载，如继电器、电磁阀和电机等。

IRF1404、SiR882DP、FDMS8880、AON6800